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怀特电子设计
0 ° （C T）
A
70°C
参数
电源电压（为设备标称V
CC
2.5V的）
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压（系统）
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入电压电平， CK和CK ＃输入
输入差分电压， CK和CK ＃输入
输入漏电流
输出漏电流
输出高电流（普通strengh驱动程序） ; V
OUT
= V
TT
+ 0.84V
输出高电流（普通strengh驱动程序） ; V
OUT
= V
TT
- 0.84V
输出高电流（半strengh驱动程序） ; V
OUT
= V
TT
+ 0.45V
输出高电流（半strengh驱动程序） ; V
OUT
= V
TT
- 0.45V
符号
V
CC
V
CCQ
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IN
（DC）的
V
ID
（DC）的
I
I
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
民
2.3
2.3
0.49*V
CCQ
V
REF
-0.04
V
REF
+0.15
-0.3
-0.3
0.3
-2
-5
-16.8
16.8
-9
9
WV3EG264M72ESFR-D4
先进
直流工作条件
最大
2.7
2.7
0.51*V
CCQ
V
REF
+0.04
V
CCQ
+0.3
V
REF
-0.15
V
CCQ
+0.3
V
CCQ
+0.6
2
5
单位
V
V
V
V
V
V
V
uA
uA
mA
mA
mA
mA
记
1
2
4
4
3
注意事项：
1.包括± 25mV的利润率V的直流偏置
REF
和总和为± 50mV的保证金为所有AC噪声和直流偏移的V
REF
带宽限制到20MHz 。在DRAM必须
容纳V DRAM的电流尖峰
REF
并连接到V内部DRAM噪音
REF
这两者都可能导致V
REF
噪声。 V
REF
应失配上≤ 3NH的电感。
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
的，必须跟踪变化为V的DC电平
REF
3. V
ID
是在CK上的输入电平，并在CK＃的输入电平之间的差的量值。
4.这些参数应在实际组件的引脚进行测试，并且可以在任一销或在模拟垫进行检查。交流和直流输入特定网络阳离子相对
到V
REF
包裹已带宽限制为200MHZ 。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
＆放大器; V
CCQ
引脚相对于V
SS
储存温度
工作温度
功耗 - 单1GB内存夹层
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
, V
CCQ
T
英镑
T
A
P
D
I
OS
价值
-0.5 ~ 3.3
-1.0 ~ 3.6
-55 ~ +150
0 ~ +70
18
50
单位
V
V
°C
°C
W
mA
注意：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
电容
V
CC
2.5V, V
CCQ
= 2.5V ± 0.2V ，T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的
参数
输入电容（ A0 A12 ， BA0 BA1 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ）
输入电容（ CS0 ＃ ， CS1 ＃ ）
输入电容（ CLK0 ， CLK0 ＃ ）
输入电容（ DM0 DM8 ）
数据& DQS输入/输出电容（ DQ0 DQ63 ）
数据输入/输出电容（ CB0 CB7 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
OUT1
C
OUT2
民
9
9
9
11
10
10
10
最大
11
11
11
12
11
11
11
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
2005年8月
第0版
4
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
