
NIF5003N
典型性能曲线
35
I
D,
漏电流(安培)
I
D,
漏电流(安培)
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1
1.5
3.5
2
3
2.5
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
4
100°C
V
DS
≥
10 V
T
J
= 55°C
25°C
图1.区域特征
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
2
5
4
6
7
8
9
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
3
10
I
D
= 3 A
T
J
= 25°C
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
0.075
0.07
0.065
0.06
0.055
0.05
0.045
0.04
0.035
0.03
2
3
图2.传输特性
T
J
= 25°C
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
4
5
6
7
8
9
10
I
D,
漏电流(安培)
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.8
R
DS (ON ) ,
漏极 - 源极
电阻(标准化)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50 30 10
10
10
30
50
70
90
110 130 150
I
D
= 3 A
V
GS
= 5 V
I
DSS
,漏电( NA)
10000
100000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1000
T
J
= 100°C
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
T
J
,结温( ° C)
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3