NIF5003N
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极钳位击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ，
T
J
= -40 ℃至150 ℃）的
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门输入电流
(V
GS
= 5.0伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.2 MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.0 ADC ，T
J
@ 25°C)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.0 ADC ，T
J
@ 150°C)
静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 3.0 ADC ，T
J
@ 25°C)
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 3.0 ADC ，T
J
@ 150°C)
源极 - 漏极正向电压上
(I
S
= 7.0 A，V
GS
= 0 V)
开关特性
开启时间
(V
in
到90％我
D
)
关断时间
(V
in
到10％我
D
)
上压摆率
压摆率关闭
R
L
= 4.7
W,
V
in
= 0 10 V ，V
DD
= 12 V
R
L
= 4.7
W,
V
in
= 10 0 V ，V
DD
= 12 V
R
L
= 4.7
W,
V
in
= 0 10 V ，V
DD
= 12 V
R
L
= 4.7
W,
V
in
= 10 0 V ，V
DD
= 12 V
T
（上）
T
（关闭）
DV =
DS
/ DT
on
dV
DS
/ DT
关闭
16
80
1.4
0.5
20
100
ms
ms
V / ms的
V / ms的
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
63
105
0.95
76
135
1.1
V
53
95
68
123
mW
1.7
5.0
2.2
VDC
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
42
40
I
DSS
I
GSS
0.6
2.5
50
5.0
125
MADC
46
45
51
51
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
自我保护特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （注5 ）
电流限制
电流限制
温度限制（关断）
热滞
温度限制（关断）
热滞
在热故障输入电流
在热故障输入电流
(V
GS
= 5.0伏）
V
DS
= 10 V (V
GS
= 5.0伏，T
J
= 150°C)
(V
GS
= 10 VDC ）
V
DS
= 10 V (V
GS
= 10 VDC ，T
J
= 150°C)
V
GS
= 5.0伏
V
GS
= 5.0伏
V
GS
= 10 VDC
V
GS
= 10 VDC
V
DS
= 35 V, (V
GS
= 5.0 V ，T
j
= 150°C)
V
DS
= 35 V, (V
GS
= 10 V ，T
j
= 150°C)
I
LIM
I
LIM
T
LIM （关闭）
DT
LIM （上）
T
LIM （关闭）
DT
LIM （上）
I
G（故障）
I
G（故障）
12
7.0
18
13
150
150
0.6
2.0
18
13
22
18
175
15
165
15
24
18
30
25
200
185
ADC
ADC
°C
°C
°C
°C
mA
mA
ESD电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
静电放电能力
静电放电能力
人体模型（ HBM ）
机器模型（ MM ）
ESD
ESD
4000
400
V
V
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
5.故障条件被视为超出部分的正常工作范围。
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