NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P75N02LTG
TO-220
LEAD -FREE
D
产品概述
V
（ BR ） DSS
25
R
DS （ ON）
5mΩ
I
D
75A
1.门
2.漏
3.源
G
S
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
雪崩电流
雪崩能量
重复性雪崩能量
功耗
2
符号
V
GS
范围
±20
75
50
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
I
AR
A
170
60
140
5.6
60
32.75
W
mJ
L = 0.1mH
L = 0.05mH
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
E
AS
E
AR
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
工作结&存储温度范围
焊接温度（ /
16
“从案例10秒。 ）
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
1
2
1
-55到150
275
°C
符号
R
θJC
R
θJA
R
θCS
典型
最大
2.3
62.5
单位
C / W
0.6
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1％
电气特性（T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125 °C
25
1
1.5
3
±250
25
250
nA
A
V
范围
单位
最小典型最大
1
Sep-09-2004
