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NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P75N02LTG
TO-220
LEAD -FREE
D
产品概述
V
( BR ) DSS
25
R
DS ( ON)
5mΩ
I
D
75A
1.门
2.漏
3.源
G
S
绝对最大额定值(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
雪崩电流
雪崩能量
重复性雪崩能量
功耗
2
符号
V
GS
范围
±20
75
50
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
I
AR
A
170
60
140
5.6
60
32.75
W
mJ
L = 0.1mH
L = 0.05mH
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
E
AS
E
AR
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
工作结&存储温度范围
焊接温度( /
16
“从案例10秒。 )
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
1
2
1
-55到150
275
°C
符号
R
θJC
R
θJA
R
θCS
典型
最大
2.3
62.5
单位
C / W
0.6
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
1%
电气特性(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125 °C
25
1
1.5
3
±250
25
250
nA
A
V
范围
单位
最小典型最大
1
Sep-09-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P75N02LTG
TO-220
LEAD -FREE
通态漏电流
1
漏源导通电阻
1
正向跨导
1
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ,我
D
= 30A
V
GS
= 7V ,我
D
= 24A
V
DS
= 15V ,我
D
= 30A
动态
70
5
6
16
7
8
A
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
2
栅极 - 漏极电荷
2
导通延迟时间
2
上升时间
2
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25 °C)
V
DS
= 15V ,R
L
= 1Ω
I
D
30A ,V
GS
= 10V ,R
GS
= 2.5Ω
V
DS
= 0.5V
( BR ) DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 35A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
5000
1800
800
140
40
75
7
7
24
6
nS
nC
pF
连续电流
脉冲电流
3
正向电压
1
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
1
2
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM ( REC )
Q
rr
I
F
= I
S
, DL
F
/ DT = 100A /
S
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
37
200
0.043
75
170
1.3
A
V
nS
A
C
脉冲测试:脉冲宽度
300
微秒,
占空比
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注:标有“ P75N02LTG ” ,日期代码或批号的产品
对于那些用无铅电镀的订单可以使用PXXXXXXXG部分的名称放在
2
Sep-09-2004
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N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P75N02LTG
TO-220
LEAD -FREE
TO- 220 ( 3引脚)机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
28.5
14.6
8.4
0.72
9.78
2.61
典型值。
10.16
2.74
20
28.9
15.0
8.8
0.8
29.3
15.4
9.2
0.88
马克斯。
10.54
2.87
H
I
J
K
L
M
N
分钟。
2.4
1.19
4.4
1.14
2.3
0.26
典型值。
2.54
1.27
4.6
1.27
2.6
0.46
马克斯。
2.68
1.35
4.8
1.4
2.9
0.66
mm
J
A
B
K
C
I
D
1
2
3
F
E
H
L
G
M
3
Sep-09-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P75N02LTG
TO-220
LEAD -FREE
D
产品概述
V
( BR ) DSS
25
R
DS ( ON)
5mΩ
I
D
75A
1.门
2.漏
3.源
G
S
绝对最大额定值(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
雪崩电流
雪崩能量
重复性雪崩能量
功耗
2
符号
V
GS
范围
±20
75
50
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
I
AR
A
170
60
140
5.6
60
32.75
W
mJ
L = 0.1mH
L = 0.05mH
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
E
AS
E
AR
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
工作结&存储温度范围
焊接温度( /
16
“从案例10秒。 )
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
1
2
1
-55到150
275
°C
符号
R
θJC
R
θJA
R
θCS
典型
最大
2.3
62.5
单位
C / W
0.6
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
1%
电气特性(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125 °C
25
1
1.5
3
±250
25
250
nA
A
V
范围
单位
最小典型最大
1
Sep-09-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P75N02LTG
TO-220
LEAD -FREE
通态漏电流
1
漏源导通电阻
1
正向跨导
1
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ,我
D
= 30A
V
GS
= 7V ,我
D
= 24A
V
DS
= 15V ,我
D
= 30A
动态
70
5
6
16
7
8
A
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
2
栅极 - 漏极电荷
2
导通延迟时间
2
上升时间
2
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25 °C)
V
DS
= 15V ,R
L
= 1Ω
I
D
30A ,V
GS
= 10V ,R
GS
= 2.5Ω
V
DS
= 0.5V
( BR ) DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 35A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
5000
1800
800
140
40
75
7
7
24
6
nS
nC
pF
连续电流
脉冲电流
3
正向电压
1
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
1
2
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM ( REC )
Q
rr
I
F
= I
S
, DL
F
/ DT = 100A /
S
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
37
200
0.043
75
170
1.3
A
V
nS
A
C
脉冲测试:脉冲宽度
300
微秒,
占空比
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注:标有“ P75N02LTG ” ,日期代码或批号的产品
对于那些用无铅电镀的订单可以使用PXXXXXXXG部分的名称放在
2
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N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P75N02LTG
TO-220
LEAD -FREE
TO- 220 ( 3引脚)机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
28.5
14.6
8.4
0.72
9.78
2.61
典型值。
10.16
2.74
20
28.9
15.0
8.8
0.8
29.3
15.4
9.2
0.88
马克斯。
10.54
2.87
H
I
J
K
L
M
N
分钟。
2.4
1.19
4.4
1.14
2.3
0.26
典型值。
2.54
1.27
4.6
1.27
2.6
0.46
马克斯。
2.68
1.35
4.8
1.4
2.9
0.66
mm
J
A
B
K
C
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1
2
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封装
单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    P75N02LTG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
P75N02LTG
NIKO/尼克森微
2407+
5999
TO-220
专业做场效管MOS原装现货
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电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
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2425+
11280
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进口原装!优势现货!
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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23000
TO-220
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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8640
TO-220
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
P75N02LTG
VB
25+23+
35500
TO-220
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
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电话:075584505750
联系人:刘生
地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
P75N02LTG
NIKO-SEM/尼克森
22+
18260
TO-263
原装代理现货,价格最优
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
P75N02LTG
NIKO-SEM/尼克森
24+
21000
TO-263
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
P75N02LTG
NIKO/尼克森微
2024
20918
TO-220
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
P75N02LTG
NIKO
22+
9000
TO-220
原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
P75N02LTG
NIKO-SEM
2411+
7198
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