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STK10C68
如果STK10C68是在一个
写
状态时的端
上电
召回
中，
SRAM
数据将被破坏。
为了避免这种情况，一个10K欧姆的电阻
应连接要么之间W和系统
V
CC
或E和System V之间
CC
.
较低的平均有功功率
该STK10C68绘制显著较少的电流
当它被循环在时间超过55ns更长。图2
显示我的关系
CC
和
读
周期
时间。最坏情况下的电流消耗为显示
两
CMOS
和
TTL
输入电平（商业温
温度范围内，V
CC
= 5.5V ， 100 ％的芯片占空比
启用） 。图3显示了相同的关系
写
周期。如果芯片使占空比小于
超过100 ％ ，仅待机电流时绘制的
芯片被禁止。得出的总平均电流
由STK10C68依赖于以下项目：
1)
CMOS
与
TTL
输入电平; 2 ）占空比
芯片使能; 3 ）整个周期率的访问;
4 ）的比率
读
S到
写
S; 5）操作
温度; 6） V
CC
水平; 7 ）I / O负载。
硬件保护
该STK10C68提供两个层次的保护，以
无意压制
商店
周期。如果控制
信号（ E，G ， W和NE）留在
商店
CON-
DITION在一个末端
商店
周期，第二
商店
循环将不会启动。该
商店
（或
召回
)
将在中任一项所述的转换之后才开始
这些信号所要求的状态。此外
多触发保护，
商店
s的抑制时，
V
CC
低于4.0V ，防止无意的
商店
s.
100
100
平均工作电流（毫安）
60
平均工作电流（毫安）
80
80
60
TTL
CMOS
20
40
TTL
20
CMOS
0
50
100
150
周期时间（纳秒）
200
40
0
50
100
150
周期时间（纳秒）
200
图2 ：我
CC
（最大值）读取
图3 ：我
CC
（最大值）写入
2003年9月
9
文件控制＃ ML0006修订版0.1
