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STK10C68
SRAM写周期＃ 1 & ＃ 2
号
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
符号
#1
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZ
H，I
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
参数
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
STK10C68-25
民
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
最大
STK10C68-35
民
35
25
25
12
0
25
0
0
13
5
最大
民
45
30
30
15
0
30
0
0
14
5
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK10C68-45
最大
STK10C68-55
民
55
45
45
30
0
45
0
0
15
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注一：
注记者：
如果W低当E为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
或W必须是
≥
V
IH
在地址转换。 NE
≥
V
IH
.
的SRAM写周期＃ 1：
硬件控制
j
t
AVAV
地址
t
ELWH
E
14
19
12
t
WHAX
t
AVWL
W
18
t
AVWH
t
WLWH
15
13
17
t
DVWH
DATA IN
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
高阻抗
20
数据有效
16
t
WHDX
t
WHQX
21
SRAM写周期＃ 2 ：
E受控
j
t
AVAV
地址
t
AVEL
E
18
14
19
12
t
ELEH
t
EHAX
t
AVEH
W
t
WLEH
15
16
13
17
t
DVEH
DATA IN
数据输出
高阻抗
数据有效
t
EHDX
2003年9月
4
文件控制＃ ML0006修订版0.1
