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初步
CY7C199B
32K x 8静态RAM
特点
高速
= 10纳秒
快速吨
美国能源部
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 495毫瓦（最大10 ns的“L ”版）
低待机功耗
- 0.275毫瓦（最大值， “L”的版本）
2V数据保留（仅“L ”版）
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
由低电平有效芯片使能（ CE）和主动提供
低输出使能（ OE ）和三态驱动器。该装置
具有自动断电功能，降低功耗
当取消了81 ％的消费。该CY7C199B是
标准的300密耳宽DIP ， SOJ ，而LCC封装。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE和WE输入
上的八个数据输入/输出管脚（都为低，数据I / O的
0
通过I / O
7
）写入到由寻址的存储器位置
地址本上的地址引脚（A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现
并启用输出， CE和OE低电平有效，虽然我们
保持非活动状态还是很高的。在这些条件下， CON组
位置帐篷解决了地址上的信息
引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。模头涂布用于改善阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C199B是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
8位ganized为32,768字。易内存扩展
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ / SOIC
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
LCC
顶视图
A7
A6
A5
VCC
WE
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
C199B–2
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
3 2 1 28 27
4
26 A
4
5
25 A
3
6
24 A
2
7
23 A
1
8
22 OE
9
21 A
0
10
20 CE
11
19 I / O
7
12
18 I / O
6
1314151617
C199–3
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
1024 x 32 x 8
ARRAY
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
3
I / O
4
I / O
5
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
C199B–1
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
C199–4
选购指南
199B-8
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
L
最大的CMOS
待机电流（mA ）
L
8
120
0.5
199B-10
10
110
90
0.5
0.05
199B-12
12
160
90
10
0.05
199B-15
15
155
90
10
0.05
199B-20
20
150
90
10
0.05
199B-25
25
150
80
10
0.05
199B-35
35
140
70
10
0.05
199B-45
45
140
10
阴影区域包含预览。
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2000年6月13日
