初步
CY7C199B
32K x 8静态RAM
特点
高速
= 10纳秒
快速吨
美国能源部
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 495毫瓦（最大10 ns的“L ”版）
低待机功耗
- 0.275毫瓦（最大值， “L”的版本）
2V数据保留（仅“L ”版）
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
由低电平有效芯片使能（ CE）和主动提供
低输出使能（ OE ）和三态驱动器。该装置
具有自动断电功能，降低功耗
当取消了81 ％的消费。该CY7C199B是
标准的300密耳宽DIP ， SOJ ，而LCC封装。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE和WE输入
上的八个数据输入/输出管脚（都为低，数据I / O的
0
通过I / O
7
）写入到由寻址的存储器位置
地址本上的地址引脚（A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现
并启用输出， CE和OE低电平有效，虽然我们
保持非活动状态还是很高的。在这些条件下， CON组
位置帐篷解决了地址上的信息
引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。模头涂布用于改善阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C199B是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
8位ganized为32,768字。易内存扩展
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ / SOIC
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
LCC
顶视图
A7
A6
A5
VCC
WE
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
C199B–2
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
3 2 1 28 27
4
26 A
4
5
25 A
3
6
24 A
2
7
23 A
1
8
22 OE
9
21 A
0
10
20 CE
11
19 I / O
7
12
18 I / O
6
1314151617
C199–3
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
1024 x 32 x 8
ARRAY
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
3
I / O
4
I / O
5
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
C199B–1
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
C199–4
选购指南
199B-8
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
L
最大的CMOS
待机电流（mA ）
L
8
120
0.5
199B-10
10
110
90
0.5
0.05
199B-12
12
160
90
10
0.05
199B-15
15
155
90
10
0.05
199B-20
20
150
90
10
0.05
199B-25
25
150
80
10
0.05
199B-35
35
140
70
10
0.05
199B-45
45
140
10
阴影区域包含预览。
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2000年6月13日
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
CY7C199B
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
军事
环境温度
[2]
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[3]
7C199B-8
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入负载
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l
L
米尔
5
5
5
0.5
0.05
0.5
0.05
30
5
10
0.05
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
120
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C199B-10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
110
85
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C199B-12
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
160
85
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C199B-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
155
100
180
30
5
10
0.05
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB1
自动CE
掉电
电流 - TTL
输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
最大。 V
CC
,
Com'l
CE > V
IH
,
L
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
Com'l
CE > V
CC
- 0.3V L
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0英里
I
SB2
阴影区域包含预览。
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是的情况下的温度。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
2
初步
电气特性
在整个工作范围
[3]
（续）
7C199B-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入负载
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l
L
米尔
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
150
90
170
30
5
10
0.05
15
2.2
-0.5
–5
–5
马克斯。
7C199B-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
150
80
150
30
5
10
0.05
15
2.2
-0.5
–5
–5
马克斯。
7C199B-35
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
140
70
150
25
5
10
0.05
15
马克斯。
CY7C199B
7C199B-45
分钟。
2.4
0.4
2.2
-0.5
–5
–5
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
140
70
150
25
5
10
0.05
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
mA
I
SB1
自动CE
掉电
电流 -
TTL输入
自动CE
掉电
电流 -
CMOS输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
， Com'l
V
IN
＆ GT ; V
IH
L
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
Com'l
CE > V
CC
– 0.3V
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
米尔
I
SB2
]
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
3
初步
开关特性
在整个工作范围
[3, 6]
7C199B-8
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高到高Z
[7, 8]
CE低到低Z
[7]
CY7C199B
7C199B-10
分钟。
10
马克斯。
7C199B-12
分钟。
12
马克斯。
7C199B-15
分钟。
15
马克斯。
单位
ns
15
3
15
7
0
7
3
7
0
15
15
10
10
0
0
9
9
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
3
ns
ns
描述
分钟。
8
马克斯。
8
3
8
4.5
0
5
3
4
0
8
8
7
7
0
0
7
5
0
5
3
3
10
7
7
0
0
7
5
0
0
3
0
3
10
3
10
5
0
5
3
5
0
10
12
9
9
0
0
8
8
0
6
3
12
12
5
5
5
12
CE高到高阻
[7,8]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[8]
WE高到低Z
[7]
写周期
[9, 10]
7
阴影区域包含预览。
注意事项：
6.测试条件假设3 ns以下为-12和-15速度和5纳秒或更少的信号转换时间-20和较慢的速度，时序1.5V的参考电平，
0输入脉冲电平为3.0V ，而输出负载指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
10.写周期＃ 3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
5
QQ：2881677436 复制
