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初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度..................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................- 55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[2]
..... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
CY7C1062DV33
直流输入电压
[2]
................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
DC电气特性
在整个工作范围
–10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大值，女= F
最大
= 1/t
RC
I
OUT
= 0毫安CMOS电平
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
[7]
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
150
30
25
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
热阻
[3]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻（结到环境）
热阻（结到管壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
ALL - 套餐
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[4]
50
产量
Z0 = 50
(a)
*
容性负载由所有的
在测试环境中的部件
30 pF的*
所有的输入脉冲
3.0V
GND
上升时间> 1V / ns的
(c)
90%
10%
90%
10%
下降时间：
> 1V / ns的
V
TH
= 1.5V
3.3V
产量
5 pF的*
*包括
夹具
范围
R1 317
R2
351
(b)
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
4.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
（ 3.0V ） 。为100μs （T
动力
）达到最小之后
工作V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 2.0V ）的电压。
文件编号： 38-05477牧师* C
第10 3
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