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1N4153,
硅开关二极管
1N4150
DO- 35玻璃封装
应用
1N4153-1
适用于一般用途的应用，在低电流控制前进
特性和快速开关速度是重要的。
特点
六西格玛质量
冶金结合
BKC的σ键电镀
1.0"
对于无故障的可焊性
25.4 mm
（分）
LL -三十五分之三十四MELF SMD提供
全部批准MIL-S- 337分之19500
提供多达JANTXV -1水平
"S"级筛选可用的SCD
最大额定值
峰值反向电压
平均整流电流
连续正向电流
峰值浪涌电流（T
PEAK
= 1秒）。
BKC功率耗散T
L
= 50
o
C，L = 8"分之3从主体
工作和存储温度范围
电气特性@ 25
o
C*
符号
正向电压
@ I
F
= 100 μA V
F
Vf
Vf
正向电压
@ I
F
= 250 μA V
F
正向电压
@ I
F
= 1.0毫安V
F
Vf
正向电压
@ I
F
= 2.0毫安V
F
Vf
V
F
正向电压
@ I
F
= 10毫安
正向电压
@ I
F
= 20毫安
V
F
反向漏电流@ V
R
= 50 V
I
R
PIV
击穿电压@ I
R
= 5.0 A
电容@ V
R
= 0 V ， F = 1mHz的
C
T
DO- 35玻璃封装
香格里拉DDA 。
e
i
0.1 - 。 2 "
0 80 0 2
0. 5 - . 5 m m
4 80 5 8
长
0.120-.200"
3.05-5.08-
m
DIA 。
0.06-0.09"
m
15 - . 8m m
. 322
符号
PIV
I
AVG
I
FDC
I
PEAK
P
合计
T
欧普&圣
价值
75 （分钟）
150
300
0.25
500
-65到+200
最大
0.55
0.59
0.67
0.70
0.81
0.88
0.05(50 @ 150
o
C)
单位
伏
毫安
毫安
AMP
毫瓦
o
C
最低
0.49
0.53
0.59
0.62
0.70
0.74
75
单位
伏
伏
伏
伏
伏
伏
A
伏
pF
2.0
反向恢复时间（注1 ）
反向恢复时间（注2 ）
t
rr
t
rr
4.0
2.0
纳秒
纳秒
注1 ：每个方法4031 -A与我
F
= I
R
= 10毫安，R
L
= 100欧姆， C = 3 PF 。 *除非另有说明
注2 ：每个方法4031 -A与我
F
= I
R
= 10毫安，的Rr = 6伏特中，R = 100欧姆。
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
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