1N4153,
硅开关二极管
1N4150
DO- 35玻璃封装
应用
1N4153-1
适用于一般用途的应用，在低电流控制前进
特性和快速开关速度是重要的。
特点
六西格玛质量
冶金结合
BKC的σ键电镀
1.0"
对于无故障的可焊性
25.4 mm
（分）
LL -三十五分之三十四MELF SMD提供
全部批准MIL-S- 337分之19500
提供多达JANTXV -1水平
"S"级筛选可用的SCD
最大额定值
峰值反向电压
平均整流电流
连续正向电流
峰值浪涌电流（T
PEAK
= 1秒）。
BKC功率耗散T
L
= 50
o
C，L = 8"分之3从主体
工作和存储温度范围
电气特性@ 25
o
C*
符号
正向电压
@ I
F
= 100 μA V
F
Vf
Vf
正向电压
@ I
F
= 250 μA V
F
正向电压
@ I
F
= 1.0毫安V
F
Vf
正向电压
@ I
F
= 2.0毫安V
F
Vf
V
F
正向电压
@ I
F
= 10毫安
正向电压
@ I
F
= 20毫安
V
F
反向漏电流@ V
R
= 50 V
I
R
PIV
击穿电压@ I
R
= 5.0 A
电容@ V
R
= 0 V ， F = 1mHz的
C
T
DO- 35玻璃封装
香格里拉DDA 。
e
i
0.1 - 。 2 "
0 80 0 2
0. 5 - . 5 m m
4 80 5 8
长
0.120-.200"
3.05-5.08-
m
DIA 。
0.06-0.09"
m
15 - . 8m m
. 322
符号
PIV
I
AVG
I
FDC
I
PEAK
P
合计
T
欧普&圣
价值
75 （分钟）
150
300
0.25
500
-65到+200
最大
0.55
0.59
0.67
0.70
0.81
0.88
0.05(50 @ 150
o
C)
单位
伏
毫安
毫安
AMP
毫瓦
o
C
最低
0.49
0.53
0.59
0.62
0.70
0.74
75
单位
伏
伏
伏
伏
伏
伏
A
伏
pF
2.0
反向恢复时间（注1 ）
反向恢复时间（注2 ）
t
rr
t
rr
4.0
2.0
纳秒
纳秒
注1 ：每个方法4031 -A与我
F
= I
R
= 10毫安，R
L
= 100欧姆， C = 3 PF 。 *除非另有说明
注2 ：每个方法4031 -A与我
F
= I
R
= 10毫安，的Rr = 6伏特中，R = 100欧姆。
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
1N4153和1N4153-1 AVAILABLE IN
JAN ， JANTX ，
和
JANTXV
每MIL -PRF-三百三十七分之一万九千五
开关二极管
密封
冶金结合
双封堵施工
1N4153
和
1N4153-1
最大额定值
结温度： -65 °C至+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
工作电流为150mA @ TA = + 25°C
降额： 1.0毫安DC / ° C以上TA = + 25°C
正向浪涌电流： 2A （ PK ） ， （ TP = 1μs的时间） ; 0.25A （ PK） ， （ TP = 1秒）
电气特性
@ 25 ° C，除非另有规定ED 。
TYPE
V BR
V RWM
我R1
VR = 50 V DC
IR = 5 μA
V DC
V（ PK）
TA = 25°C
nA的DC
1 R2
VR = 50 V DC
TA = 150℃
μA DC
pF
C
VR = 0; F = 1MHz的;
TRR
IF = IR = 10 mA dc直流电
RL = 100欧姆
ns
图1
1N4153-1
75
50
50
50
2.0
4
正向电压限制 - 所有类型
V F1
范围
I F = 100 μA直流
V F2
I F = 250 μA直流
V F3
I F = 1毫安DC
V F4
I F = 2毫安DC
V F5
I F = 10 mA dc直流电
V F6
I F = 20 mA dc直流电
设计数据
案例：
密封式
每MIL -S -三百三十七分之一万九千五百玻璃柜
D0-35大纲
导线材料：
铜包钢。
铅表面处理：
锡/铅
热阻：
（ ROJL ） ：
250℃ / W最大为L = .375
热阻抗： （Z
OJX ） ： 70
C / W最高
极性：
阴极到底是带状。
安装位置：
任。
V DC
最低
最大
0.49
0.55
V DC
0.53
0.59
V DC
0.59
0.67
V DC
0.62
0.70
V DC
0.70
0.81
V DC
0.74
0.88
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
网站： http://www.cdi-diodes.com
电子信箱： mail@cdi-diodes.com
1N4153,
硅开关二极管
1N4150
DO- 35玻璃封装
应用
1N4153-1
适用于一般用途的应用，在低电流控制前进
特性和快速开关速度是重要的。
特点
六西格玛质量
冶金结合
BKC的σ键电镀
1.0"
对于无故障的可焊性
25.4 mm
（分）
LL -三十五分之三十四MELF SMD提供
全部批准MIL-S- 337分之19500
提供多达JANTXV -1水平
"S"级筛选可用的SCD
最大额定值
峰值反向电压
平均整流电流
连续正向电流
峰值浪涌电流（T
PEAK
= 1秒）。
BKC功率耗散T
L
= 50
o
C，L = 8"分之3从主体
工作和存储温度范围
电气特性@ 25
o
C*
符号
正向电压
@ I
F
= 100 μA V
F
Vf
Vf
正向电压
@ I
F
= 250 μA V
F
正向电压
@ I
F
= 1.0毫安V
F
Vf
正向电压
@ I
F
= 2.0毫安V
F
Vf
V
F
正向电压
@ I
F
= 10毫安
正向电压
@ I
F
= 20毫安
V
F
反向漏电流@ V
R
= 50 V
I
R
PIV
击穿电压@ I
R
= 5.0 A
电容@ V
R
= 0 V ， F = 1mHz的
C
T
DO- 35玻璃封装
香格里拉DDA 。
e
i
0.1 - 。 2 "
0 80 0 2
0. 5 - . 5 m m
4 80 5 8
长
0.120-.200"
3.05-5.08-
m
DIA 。
0.06-0.09"
m
15 - . 8m m
. 322
符号
PIV
I
AVG
I
FDC
I
PEAK
P
合计
T
欧普&圣
价值
75 （分钟）
150
300
0.25
500
-65到+200
最大
0.55
0.59
0.67
0.70
0.81
0.88
0.05(50 @ 150
o
C)
单位
伏
毫安
毫安
AMP
毫瓦
o
C
最低
0.49
0.53
0.59
0.62
0.70
0.74
75
单位
伏
伏
伏
伏
伏
伏
A
伏
pF
2.0
反向恢复时间（注1 ）
反向恢复时间（注2 ）
t
rr
t
rr
4.0
2.0
纳秒
纳秒
注1 ：每个方法4031 -A与我
F
= I
R
= 10毫安，R
L
= 100欧姆， C = 3 PF 。 *除非另有说明
注2 ：每个方法4031 -A与我
F
= I
R
= 10毫安，的Rr = 6伏特中，R = 100欧姆。
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
QQ：2881677436 复制
