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NAND01GWxA2B-KGD
软件算法
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软件算法
本节提供的软件算法，恒忆推荐信息
实施管理坏块和扩展NAND器件的寿命。
NAND闪存使用的编程和擦除福勒- Nordheim隧穿
高电压。该装置暴露于高电压长时间可导致
被损坏的氧化物层。出于这个原因，节目的数目和擦除周期是
有限的（见
表13
对值），并推荐实施垃圾收集，一
损耗均衡算法和纠错码，延长程序的数量
和擦除周期和增加的数据保持性。
为了帮助NAND存储器集成到一个应用恒忆能够提供文件系统OS
本机参考软件，支持文件管理的基本命令。
联系最近的恒忆销售处了解更多详情。
7.1
坏块管理
有坏块的设备具有相同的质量水平和相同的交流和直流
特征为，所有的块是有效的设备。坏块不影响
有效块的性能，因为它是从位线和公共源极线中分离
通过选择晶体管。
该设备提供全部删除无效块（ FFH ）内的位置。坏
块信息在发货之前写的。任何块，其中的第6个字节（ ×8的设备） / 1日
在第一页不包含FFH的备用区字（ ×16器件）是一个坏块。
擦任何试图为坏块之前的不良块信息必须阅读
信息可以被擦除。为使系统能够识别的坏块的基础上
原始信息，建议创建一个坏块表后面的
如图流程图
网络连接gure 10 。
7.2
NAND闪存失效模式
在器件附加的坏块可能发展的寿命。
要实现一个高度可靠的系统，所有可能的故障模式，必须考虑：
●
编程/擦除失败：在这种情况下，该块必须由数据复制到被替换
一个有效的块。这些额外的坏块可被识别为尝试编程或
删除它们会在状态寄存器给出错误。作为一个页编程失败
操作不影响在相同块中的其它页的数据时，该块可以是
通过重新编程的电流数据和拷贝替换块的其余部分取代
一个可用的有效块。复制返回程序命令可用于复制
数据为有效的块。看
第6.4节：复制回计划
了解更多详情。
读取失败：在这种情况下， ECC纠正必须执行。有效地利用
存储器空间时，建议在由ECC的读恢复单个位错误，而不
更换整个模块。
●
请参阅
表12
的程序，如果在操作过程中出现错误跟踪。
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