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设备操作
NAND01GWxA2B-KGD
6.3
页编程
页面编程操作的标准操作进行编程数据到存储器
数组。
存储器阵列的主区是由页，然而部分页编程
编程允许在那里任意数目的字节（ 1到528 ）或文字（ 1 264 ）可
编程。
连续的部分页编程操作都必须在同一个允许的最大数量
页是3 。超过此块擦除命令后，必须在任何发行
进一步的程序操作可以发生在该网页。
开始一个页面编程操作前的指针就可以执行操作，以指向
的区域进行编程。参阅
第6.1节：指针操作
和
图5
为
详细信息。
每一页编程操作由五个步骤组成（见
图7）：
1.
2.
3.
4.
5.
一个总线周期需要设置页面编程命令
四个总线周期则需要输入程序地址（指
表5）
该数据随后被输入（最多528字节/ 264字）并加载到页缓冲器
一个总线周期即可发出确认命令启动P / E / R控制器。
在P / E / R控制器程序，然后将数据放入数组中。
一旦程序运行开始状态寄存器可以通过读来读
状态寄存器命令。在程序的操作状态寄存器将只标志
误差设置为“1” ，但没有成功地编程为“0”位。
在程序运行中，只有读状态寄存器和复位命令会
接受，则所有其他的命令将被忽略。
一旦编程操作已完成之后，P / E / R控制器位SR 6被设置为' 1'和
就绪/忙信号变为高电平。
该器件保持在读状态寄存器模式，直到另一个有效的命令写入
命令接口。
图7 。
页编程操作
tBLBH2
（程序闲时间）
RB
忙
I / O
80h
页编程
安装程序代码
地址输入
数据输入
10h
CON连接RM
CODE
70h
SR0
读状态寄存器
ai07566
1.在开始的页编程操作的指针操作之前，可以执行。请参阅
第6.1节：指针操作
了解详细信息。
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