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PSD835G2
说明
一个指令由特定的序列的
操作。每一个接收到的字节顺序是DE-
通过在PSD的编码，并且不执行作为标准
WRITE操作。该指令被执行
当正确的字节数是再正常
可察觉和两个连续的时间间隔
字节比所述超时时间短。有些IN-
structions的结构，以包括读操作
最初的写入操作之后，系统蒸发散。
该指令必须严格遵守。任何IN-
指令字节或超时的有效组合
连续的两个字节之间，同时解决
闪存存储器复位器件逻辑为READ
模式（闪存读取就像一个ROM设备） 。
该PSD支持总结中的说明
表28. ， 27页：
闪存：
■
通过芯片或扇区擦除记忆
■
挂起或恢复扇区擦除
■
方案一字节
■
RESET为READ模式
■
读小学的Flash标识符值
■
读扇区保护状态
■
绕行
这些指令被详述于表
28.
对于EF -
的指令够的解码，前两个
一个指令的字节必须是在编码周期和
后面跟着一个指令字节或confirma-
化字节。该编码由循环以书面
在第一周期期间，数据和AAh解决X555h
和数据55H第二期间为解决XAAAh
循环除非BYPASS指令的特点是
使用）。地址信号A15- A12是无关
在指令写入周期。然而，该
适当
扇形
SELECT
(FS0-FS7
or
CSBOOT0 - CSBOOT3 ）必须选择。
小学和中学的闪存有
相同的指令集（除了读主
闪光标识符）。该部门选择信号阻止 -
矿的Flash存储器是接收和exe-
可爱的指令。主闪存存储器是
如果选择的行业选择（ FS0 - FS7 ）中的任何一个
高，并且第二Flash存储器中选择
如果行业选择（ CSBOOT0-任何一个
CSBOOT3 ）为高。
上电模式
上电后的PSD内部逻辑复位
在读取模式。行业选择（ FS0 - FS7和
CSBOOT0 - CSBOOT3 ）必须保持为低电平，
写选通（ WR ， CNTL0 ）高，在电
供的数据的内容和为最大安全
除去一个字节的可能性被写在
写选通的第一边缘（WR ， CNTL0 ） 。任何
写周期开始时锁定V
CC
是BE-
低V
LKO
.
读
在典型的情况下， MCU可以读取
主闪存存储器或二次闪光
使用读操作，就像它的存储器
ROM或RAM设备。或者， MCU可以
使用读操作来获得状态信息
关于编程或擦除周期目前处于
进展情况。最后， MCU可以使用指令来
读取这些内存块的特殊数据。该
下面分别介绍这READ功能。
读存储器内容
主闪存和辅助闪存
内存被放置在读取模式Pow-后
ER-了，芯片复位，或者复位闪光指令（见
表
28).
MCU可以读取内存CON-
主要的闪存或者二线的帐篷
元闪存使用读操作的任何
一次读操作是不是一个指令的一部分
化。
读小学的Flash标识
主闪存标识符读取
指令的4操作组成： 3具体
WRITE操作和读操作（见
TA-
竹叶提取28 ，第27页） 。
的标识符的设备是
E8h.
读存储器扇区保护状态
主要的闪存扇区保护桩号
土族的读取使用的4能操作组成的指令
ations ： 3具体WRITE操作与一个READ
操作（见表
28).
在读操作
生产01H如果闪存部门是亲
tected ，则为00h如果该扇区没有被保护。
所有NVM块的扇区保护状态
（主闪存或继发性闪存存储器
储器） ，也可以由MCU访问读
Flash保护和Flash启动保护寄存器
TER值在PSD的I / O空间。看
闪存部门
保护，第34页
对于寄存器定义。
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