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MBM29LV160T
-80/-90/-12
/MBM29LV160B
-80/-90/-12
s
绝对最大额定值
参数
储存温度
环境温度与功耗的应用
电压相对于地除A所有引脚
9
,
OE ， RESET *
1,
*
2
A
9
， OE和RESET *
1,
*
3
电源电压*
1
* 1 ：电压为V的基础上定义的
SS
=
GND
=
0 V.
* 2 ：在输入或I / O引脚的最小直流电压为-0.5 V时的电压转换，输入或I / O引脚可以下冲
V
SS
至-2.0 V长达20纳秒的时间。输入或L / O引脚最大直流电压为V
CC
+0.5 V.在电压
转换，输入或I / O引脚可能会过冲至V
CC
+ 2.0V长达20纳秒的时间。
* 3 ：关于A最小DC输入电压
9
， OE和RESET引脚为-0.5 V.在电压转换，A
9
， OE和RESET
销可能下冲V
SS
至-2.0 V长达20纳秒的时间。输入和电源电压之间的电压差
(V
IN
– V
CC
）不超过
+9.0
上的五最大直流输入电压
9
， OE和RESET引脚是13.0 V这
可能要过冲
+14.0
V代表最多20纳秒的时间。
警告：在半导体器件上的应用应力（电压，电流可能会损坏，
温度等）超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
符号
TSTG
T
A
V
IN
, V
OUT
V
IN
V
CC
等级
民
55
40
0.5
2.0
0.5
最大
+125
+85
V
CC
+0.5
+13.0
+5.5
单位
°
C
°C
V
V
V
s
推荐工作条件
参数
环境温度
电源电压*
符号
T
A
V
CC
产品型号
MBM29LV160T/B-80
MBM29LV160T/B-90/-12
MBM29LV160T/B-80
MBM29LV160T/B-90/-12
价值
民
20
40
+3.0
+2.7
最大
+70
+85
+3.6
单位
°
C
°
C
V
* ：电压为V的基础上定义的
SS
=
GND
=
0 V.
注：操作范围限定在这些限制之间的设备的功能得到保证。
警告：在推荐的工作条件是必需的，以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时，该设备是
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性，并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途，工作条件，或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用，应联系其
富士通的代表事前。
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