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MBM29LV160T
-80/-90/-12
/MBM29LV160B
-80/-90/-12
RY / BY
就绪/忙脚
该MBM29LV160T / B提供了一个RY / BY开漏输出引脚，以此来表示对主机系统的
嵌入式算法是正在进行或已经完成。如果输出为低，该设备是忙
无论是编程或擦除操作。如果输出为高时，该装置已准备好接受任何读取/写入或擦除
操作。当RY / BY引脚为低电平时，该装置将不接受任何额外的编程或擦除命令
除擦除的暂停命令。如果MBM29LV160T / B被放置在一个擦除挂起
模式中， RY / BY输出都为高，通过与上拉电阻，以V连接的装置
CC
.
在编程期间， RY / BY引脚之后的第四WE脉冲的上升沿驱动为低电平。在擦除
操作中， RY / BY引脚后6个WE脉冲的上升沿驱动为低电平。该RY / BY引脚将指示
复位脉冲在繁忙的状态。请参阅“ （ 8 ） RY / BY编程/擦除操作过程中的时序图”
与“（9）复位， RY / BY时序图”中
sTIMING
示意图详细的时序图。该RY / BY引脚
被拉高处于待机模式。
因为这是一个开放漏极输出时，上拉电阻需要连接到V
CC
;设备的倍数可能
经由一个以上的RY /并行地连接到主机系统按销。
RESET
硬件复位引脚
该MBM29LV160T / B设备可以通过驱动RESET引脚到V重置
IL
。 RESET引脚具有脉冲
要求，必须保持低（Ⅴ
IL
）为至少500毫微秒，以便正确地复位内部状态机。
任何操作中被执行的处理将被终止，内部状态机将复位
到读模式t
准备
之后， RESET引脚被拉低。此外，一旦RESET引脚变为高电平时，
设备需要额外吨
RH
它允许读取访问之前。当RESET引脚为低电平时，器件将在
待机模式下的脉冲的持续时间，所有的数据输出引脚将三态的。如果一个硬件复位
一个程序或擦除操作期间发生时，在该特定位置的数据将被破坏。请注意
该RY / BY输出信号应在RESET脉冲期间被忽略。请参考“ （ 9 ）复位， RY / BY计时
在图“
sTIMING
框图的时序图。请参阅临时机构的unprotection的额外
功能。
如果在嵌入式擦除算法发生硬件复位时，有一种可能性，即擦除扇区（多个）将
需要再次擦除它们可以被编程之前。
字/字节CON组fi guration
BYTE引脚选择字节（ 8位）模式或字（16位）模式的MBM29LV160T / B设备。当此
引脚驱动为高电平时，器件工作在字（16位）模式。的数据被读出并在DQ的编程
15
to
DQ
0
。当该引脚为低电平时，器件工作在字节（ 8位）模式。在此模式下， DQ
15
/A
-1
引脚成为
最低地址位和DQ
14
到DQ
8
位处于三态。但是，命令总线周期始终是一个8位的
操作，从而命令被写在DQ
7
到DQ
0
和DQ
15
到DQ
8
位被忽略。参考“ （10）
时序图的Word模式配置“和”（ 11 ）的时序图的字节模式配置“
sTIMING
示意图的时序图。
数据保护
该MBM29LV160T / B设计是为了提供保护，防止意外删除或编程引起的
系统杂散电平信号，可能会在电源转换存在。在自动上电装置
内部状态机复位到读模式。另外，对于其控制寄存器结构，改变的
存储器内容只能成功完成特定的多总线周期的命令序列后发生。
该器件还集成了多项功能以防止生成的表单V无意中写周期
CC
上电
和断电转换或系统噪声。
低V
CC
写禁止
以避免在V的写周期开始
CC
上电和断电，写周期被锁定为V
CC
少
超过2.3 V （典型2.4 V ） 。如果V
CC
＆ LT ; V
LKO
，命令寄存器被禁止，所有内部程序/擦除电路
被禁用。在此条件下，该装置将复位到读模式。后续写入将被忽略，直到
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