Si4700DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
V
降
与S
1
0.30
0.04
V
开/关
= 2.5 V
V
S1
= 4.5 V
I
L
= 1 A
Vishay Siliconix公司
P沟道
V
降
方差与结温
0.24
V
降
方差（ V）
8
10
0.03
0.02
V
降
(V)
0.18
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= 1 A
0.12
0.01
0.00
0.06
–0.01
0
0
2
4
V
S2
(V)
6
–0.02
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
r
DS （ ON）
变化与输入电压
0.30
1.6
归一化
DS （ ON）
- 结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.24
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
归
1.4
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= 4.5 V
I
L
= 1 A
0.18
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= 1 A
0.12
1.2
1.0
0.06
0.8
0
0
2
4
V
S2
(V)
6
8
10
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
t
D（上）
变化有R
G
/V
S1
1.5
V
开/关
= 3 V
V
G
= 12 V
C
O
= 10
mF
I
L
= 1 A
8
t
上升
变化有R
G
/V
S1
V
S!
= 2.5 V
6
1.2
V
S!
= 2.5 V
时间（
m
S)
V
S!
= 3.3 V
4
V
S!
= 5 V
V
S!
= 5 V
2
V
开/关
= 3 V
V
G
= 12 V
C
O
= 10
mF
I
L
= 1 A
0
20
40
R
G
（ kW）的
60
80
100
V
S!
= 3.3 V
时间（
m
S)
0.9
0.6
0.3
0
0
20
40
R
G
（ kW）的
60
80
100
0
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-5
