Si4700DY
Vishay Siliconix公司
新产品
N沟道
0.015
0.012
0.08
V
降
方差（ V）
0.009
0.006
0.003
0.000
–0.003
0
0
2
4
V
S2
(V)
0.10
6
8
10
–0.006
–50
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.10
V
降
与S
2
V
降
方差与结温
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= –4.5 V
I
L
= –1 A
V
降
(V)
0.06
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= –1 A
0.04
0.02
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
1.6
r
DS （ ON）
变化与输入电压
归一化
DS （ ON）
- 结温
V
开/关
= 2.5 V
V
S2
= –4.5 V
I
L
= –1 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
归
8
10
1.4
0.06
V
开/关
= 2.5 V
I
L
= –1 A
0.04
1.2
1.0
0.02
0.8
0
0
2
4
V
S2
(V)
6
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
典型特征（ 25_C除非另有说明）
V
降
与我
L
V
开/关
= 2.5 V
V
S1
= 4.5 V
I
L
= 1 A
V
降
(V)
P沟道
V
降
与我
L
V
开/关
= 2.5 V
V
S1
= 2.5 V
I
L
= 1 A
1.0
0.70
0.8
0.56
V
降
(V)
0.6
125_C
0.4
25_C
0.42
125_C
25_C
0.28
0.2
0.14
0
0
2
4
I
L
(A)
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
6
8
10
0
0
1
2
I
L
(A)
文档编号： 71110
S- 00025 -REV 。 A， 24 -JAN- 00
3
4
5
2-4
