Si4500BDY
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ° C，除非另有说明
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
单脉冲
0.01
10-
4
10 -
3
10-
2
10-
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 75
° C / W
3. T
JM
-
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10-
4
10-
3
10-
2
10-
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
文档编号： 72281
S- 61005 -REV 。 C， 12军， 06
www.vishay.com
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