Si4500BDY
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ° C，除非另有说明
30
0.08
0.07
R DS（ON ） - 导通电阻（ Ω ）
I S - 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
10
I
D
= 9.1 A
0.06
0.05
I
D
= 3.3 A
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0
1
2
3
4
5
T
J
= 25 °C
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
I
D
= 250
A
0.2
60
V GS （ TH）方差（V ）
功率（W）的
0.0
50
40
30
20
- 0.4
10
- 0.6
- 50
80
70
导通电阻与栅极至源极电压
- 0.2
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
单脉冲功率
100
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
P（吨） = 0.0001
10
I
D
- 漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
0.1
T
A
= 25
°C
单脉冲
P（吨） = 10
dc
BV
DSS
有限
1
10
100
0.01
0.1
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
安全工作区
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4
文档编号： 72281
S- 61005 -REV 。 C， 12军， 06
