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初步
K6F2016R4G家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.2 V
CC
-0.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 0.9V
输出负载（见右图） ：C
L
= 30pF的+ 1TTL
CMOS SRAM
V
TM
3)
R
1
2)
C
L
1)
R
2
2)
1.包括范围和夹具电容
2. R
1
=3070
,
R
2
=3150
3. V
TM
=1.8V
AC特性
( T
A
= -40到85°C ， VCC = 1.65 1.95V ）
速箱
参数表
符号
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB访问时间
读
芯片选择低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB ， LB有效到结束写入的
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
BA
t
LZ
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
70
-
-
-
-
10
10
5
0
0
0
10
70
60
0
60
60
50
0
0
30
0
5
70ns
最大
-
70
70
35
70
-
-
-
25
25
25
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
民
85
-
-
-
-
10
10
5
0
0
0
10
85
70
0
70
70
60
0
0
35
0
5
85ns
最大
-
85
85
40
85
-
-
-
25
25
25
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
VDR
IDR
TSDR
TRDR
测试条件
CS≥Vcc-0.2V
1)
, V
IN
≥0V
VCC = 1.2V ， CS≥Vcc - 0.2V
1)
, V
IN
≥0V
看到数据保存波形
民
1.0
-
0
TRC
典型值
-
0.5
2)
-
-
最大
1.95
3
-
-
单位
V
A
ns
1. 1 ） CS≥Vcc - 0.2V （ CS控制）或
2 ） LB = UB≥Vcc - 0.2V ， CS≤0.2V （ LB / UB控制）
2.典型值是在T测
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
-6-
修订版0.0
2005年4月
