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初步
K6F2016R4G家庭
特点
CMOS SRAM
概述
该K6F2016R4G家庭是由三星公司制造
先进的全CMOS工艺技术。家庭支持
工业级温度范围和48球芯片级封装
系统设计的用户灵活性。该系列产品还支持
低数据保持电压的电池备份与操作
低数据保持电流。
128K ×16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
工艺技术：全CMOS
组织： 128K X16位
电源电压： 1.65 1.95V
低数据保持电压： 1.0V （最小值）
三态输出
封装类型： 48 - FBGA - 6.00x7.00
产品系列
功耗
产品系列
工作温度
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
， TYP 。 ）
0.5A
2)
操作
(I
CC1
，最大值）
2mA
PKG型
K6F2016R4G-F
Industrial(-40~85°C)
1.65~1.95V
70
1)
/85ns
48-FBGA-6.00x7.00
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
2.典型的值在V测量
CC
= 1.8V ，T
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
引脚说明
1
2
3
4
5
6
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
A
LB
OE
A0
A1
A2
DNU
VCC
VSS
B
I/O9
UB
A3
A4
CS
I/O1
ROW
地址
C
I/O10
I/O11
A5
A6
I/O2
I/O3
ROW
SELECT
内存
CELL
ARRAY
D
VSS
I/O12
DNU
A7
I/O4
VCC
E
VCC
I/O13
DNU
A16
I/O5
VSS
I / O
1
-I / O
8
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
F
I/O15
I/O14
A14
A15
I/O6
I/O7
I / O
9
-I / O
16
G
I/O16
DNU
A12
A13
WE
I/O8
列地址
H
DNU
A8
A9
A10
A11
DNU
48 - FBGA ：俯视图（球下）
名字
CS
OE
WE
A
0
~A
16
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名字
VCC
VSS
UB
LB
DNU
功能
动力
地
高字节（ I / O
9
~
16
)
低字节（ I / O
1
~
8
)
不要使用
CS
OE
WE
UB
LB
控制逻辑
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知
.
-3-
修订版0.0
2005年4月
