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K4J55323QG
256M GDDR3 SDRAM
8.0 IBIS ： I / V特性的输入和输出缓冲器
（ 2 ）强迫症（ 40
)
下拉电流（mA ）
上拉电流（mA ）
最低
-2.4
-4.7
-7.0
-9.2
-11.4
-13.4
-15.4
-17.1
-18.8
-20.3
-21.7
-22.9
-23.9
-24.8
-25.4
最大
-3.1
-6.2
-9.2
-12.1
-14.9
-17.7
-20.3
-22.8
-25.2
-27.5
-29.6
-31.6
-33.3
-34.9
-36.3
电压
(V)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
最低
2.4
4.7
7.0
9.3
11.5
13.6
15.7
17.7
19.6
21.4
23.2
24.8
26.3
27.7
29.0
最大
2.8
5.5
8.3
11.0
13.7
16.4
19.0
21.6
24.2
26.7
29.1
31.6
34.0
36.3
38.5
引体向上
0
1
-5
-10
3
5
7
9
11
13
15
IOH （毫安）
-15
-20
-25
-30
-35
-40
民
最大
电压（V）的
40 53
修订版1.1 2005年11月
