位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第62页 > K4J55323QG-BC12 > K4J55323QG-BC12 PDF资料 > K4J55323QG-BC12 PDF资料1第39页
K4J55323QG
256M GDDR3 SDRAM
7.9.4预充电
在预充电命令用于取消特定的打开行
银行或开行的所有银行。该行（多个）将可用于随后
行访问某个指定时间（t
RP
）之后的预充电命令
发行。输入A8决定了所有的银行是否有一个或将被预充电，并且
在只有一家银行是要预充电的情况下，输入BA0 ， BA1选择
银行。当所有银行都必须预充电，输入BA0 ， BA1被视为
"Don't Care."一旦银行已经被预充电，它是在空闲状态和绝
先于任何读取或写入命令激活被发到银行。
/ CK
CK
CKE
高
/ CS
/ RAS
7.9.5掉电模式（ CKE无效）
不像SDR SDRAM芯片， GDDR3 （ X32 ） SDRAM要求CKE是活跃在所有
次的访问正在进行中;从一个READ或WRITE命令的发出
直到一阵完成。对于读操作，一个脉冲串的结束是指当
读后记满意;对于写操作，突发完成定义BL / 2
写后记后周期满足。
/ CAS
/ WE
A0-A7, A9-A11
所有银行
A8
一家银行
BA0 ， BA1
BA
不在乎
BA =银行地址
（如果A8低;反之"Don't Care" ）
当CKE注册LOW掉电输入。如果发生断电
时，有一个行活性的任何银行，这种模式被称为有源加电
下来。进入掉电停用输入和输出缓冲器，不含
CK ， / CK和CKE 。为最大限度地降低功耗，用户显示的选项
abling的DLL之前进入掉电。然而，掉电持续时间是
受限于器件的刷新要求，所以在大多数应用中，自
刷新模式优于DLL残疾掉电模式。
当掉电， CKE低和稳定的时钟信号必须保持在
的GDDR3 SDRAM的的输入端，而所有其他的输入信号是"Don't Care"
除了数据终结禁用命令。
当CKE注册HIGH掉电状态同步退出（以
用NOP或取消命令一起使用） 。有效的可执行的命令
可以购买应用tPDEX 。
预充电命令
掉电
/ CK
CK
CKE
T0
T1
t
IS
T2
Ta0
Ta1
t
IS
Ta2
t
PDEX
Ta7
命令
有效
没有PEAD / WRITE
正在访问
NOP
NOP
NOP
有效
*输入电源 - 关闭模式
退出电源 - 省电模式
*一旦设备进入省电模式，应该在NOP状态至少为10ns
39 53
修订版1.1 2005年11月
