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K4B1G04(08/16)46C
6.0绝对最大额定值
6.1绝对最大额定直流电压
符号
VDD
VDDQ
V
IN，
V
OUT
T
英镑
参数
在VDD引脚相对于VSS的电压
相对到Vss引脚VDDQ电压
任何引脚相对于VSS的电压
储存温度
等级
-0.4 V ~ 1.975 V
-0.4 V ~ 1.975 V
-0.4 V ~ 1.975 V
-55到+100
1GB DDR3 SDRAM
单位
V
V
V
°C
笔记
1,3
1,3
1
[表4 ]绝对最大额定直流电压
注意：
1.强调高于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2.储存温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。为测量条件，请参阅JESD51-2
标准。
3. VDD和VDDQ必须在彼此的300mV的时刻;和VREF必须比0.6xVDDQ ，不大于当VDD和VDDQ的是小于
500mV的; VREF可以等于或小于300mV的。
6.2 DRAM元件工作温度范围
符号
T
OPER
参数
正常工作温度范围
扩展温度范围（可选）
等级
0到85
85至95
单位
°C
°C
笔记
1,2
1,3
[表5]温度范围
注意：
1.工作温T
OPER
是在DRAM的中心/顶侧的情况下的表面温度。为测量条件，请参照
JEDEC文件JESD51-2 。
2.正常温度范围规定，所有的DRAM规格将支持温度。在操作期间，在DRAM情况下，温
温度必须保持在0-85 ℃，在所有操作条件下，
3.某些应用程序需要在85 ° C和95 ° C的温度，温度范围达到扩展的操作。全规格瓜拉尼
开球在这个范围内，但以下附加条件：
一）刷新命令必须在频率提高一倍，从而降低刷新间隔tREFI到3.9us 。另外，也可以以指定的组件
用1X刷新（ tREFI到7.8us ）在扩展级温度范围。请参考供应商的数据手册和/或DIMM SPD的选项的可用性。
b）若需要，在扩展温度范围自刷新操作，则它是强制性的，以任一使用手动自刷新模式
扩展温度范围的能力（ MR2 A6 = 0B和MR2 A7 = 1B）或启用可选的自动自刷新模式（ MR2 A6 = 1b和MR2 A7 =
0B ） 。请参考供应商的数据手册和/或DIMM SPD进行自动自刷新选项的可用性，扩展级温度范围支持和
在扩展级温度范围tREFI要求。
7.0交流&直流工作条件
7.1建议的直流工作条件（ SSTL_1.5 ）
符号
VDD
VDDQ
电源电压
电源电压输出
参数
等级
分钟。
1.425
1.425
典型值。
1.5
1.5
马克斯。
1.575
1.575
单位
V
V
笔记
1,2
1,2
[表6 ]建议的直流工作条件
注意：
1.在所有条件下的VDDQ必须小于或等于VDD。
2. VDDQ跟踪与VDD 。 AC参数测量VDD和VDDQ绑在一起。
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1.0版2007年6月
