NBSG14
V
CC
Q3
Q3
VTCLK
36.5千瓦
Q2
50
W
Q2
CLK
CLK
50
W
VTCLK
75千瓦
75千瓦
Q1
Q1
V
EE
Q0
Q0
图3.逻辑图
表2.接口选择
接口选择
CML
LVDS
交流耦合
RSECL ， PECL ， NECL
LVTTL ， LVCMOS
连接
连接VTCLK和VTCLK到V
CC
连接VTCLK和VTCLK在一起
偏VTCLK并在VTCLK输入
共模范围（V
IHCMR
)
标准ECL终止技术
外部电压（V
THR
）应该被应用到
未使用的差分输入。标称V
THR
为1.5 V的LVTTL
和V
CC
/ 2 LVCMOS输入。这个电压必须是
内伏
THR
特定连接的阳离子。
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻（ CLK ， CLK ）
内部输入上拉电阻（ CLK ）
ESD保护
湿度敏感度（注1 ）
FCBGA16
QFN16
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
人体模型
机器型号
铅PKG
LEVEL 3
LEVEL 1
价值
75千瓦
36.5千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 100 V
无铅PKG
不适用
LEVEL 1
价值
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
158
http://onsemi.com
3
