NBSG14
2.5V / 3.3V的SiGe差分
1 ： 4时钟/数据驱动器
RSECL *输出
*低摆幅ECL
http://onsemi.com
该NBSG14是一个1到4个时钟/数据分配芯片，优化的
超低偏移和抖动。
输入包括内部50
W
终端电阻并接受
NECL （负ECL ） ， PECL （正ECL ） ， LVTTL ， LVCMOS ，
CML或LVDS 。输出RSECL （低摆幅ECL ）
400毫伏。
记号
图*
SG
14
LYW
最大输入时钟频率高达12 GHz的典型
最大输入数据速率高达12 Gb / s的典型
30 ps的典型的上升和下降时间
125 ps的典型传播延迟
FCBGA16
BA后缀
CASE 489
RSPECL输出与操作范围： V
CC
= 2.375 V至3.465 V
随着V
EE
= 0 V
RSNECL输出与RSNECL或NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
RSECL输出电平（ 400 mV峰峰值输出） ，
迪FF erential输出
50
W
内部输入终端电阻
QFN16
MN后缀
CASE 485G
SG14
ALYW
兼容现有的2.5 V / 3.3 V LVEP ， EP和LVEL设备
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关详细信息，请参考应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
NBSG14BA
NBSG14BAR2
包
4×4毫米
FCBGA16
4×4毫米
FCBGA16
3×3毫米
QFN16
3×3毫米
QFN16
航运
100单位/托盘
500 /磁带&卷轴
NBSG14MN
123单位/铁
NBSG14MNR2
3000 /磁带&卷轴
板
NBSG14BAEVB
描述
NBSG14BA评估板
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年8月 - 启示录7
出版订单号：
NBSG14/D
NBSG14
1
A
2
3
4
V
EE
16
VTCLK
Q0
15
Q0
14
V
CC
13
裸露焊盘（ EP ）
Q3
Q3
Q2
VTCLK
B
CLK
VEE
VCC
Q2
1
2
NBSG14
3
4
12 Q1
11 Q1
10 Q2
9
Q2
CLK
CLK
C
CLK
VEE
VCC
Q1
VTCLK
D
VTCLK
Q0
Q0
Q1
5
V
EE
6
Q3
7
Q3
8
V
CC
图1. BGA- 16引脚
（ TOP VIEW ）
图2. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
BGA
D1
C1
QFN
1
2
名字
VTCLK
CLK
I / O
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
描述
内部50
W
终止引脚。见表2 。
倒差分输入。内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
B1
3
CLK
反的差分输入。内部75千瓦至VEE 。
A1
B2,C2
A2*
A3*
B3,C3
A4*
B4*
C4*
D4*
D3*
D2*
不适用
4
5,16
6
7
8,13
9
10
11
12
14
15
VTCLK
V
EE
Q3
Q3
V
CC
Q2
Q2
Q1
Q1
Q0
Q0
EP
内部50
W
终止引脚。见表2 。
负电源电压。所有V
EE
引脚必须从外部连接到
电源供应器，以保证正常运行。
倒差分输出3.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
反的差分输出3.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
正电源电压。所有V
CC
引脚必须从外部连接到
电源供应器，以保证正常运行。
倒差分输出2.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
反的差分输出2.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
倒差分输出1.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
反的差分输出1.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
倒差分输出为0。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
反的差分输出为0。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
裸露焊盘。在封装底部的裸露热焊盘（见案例
拉延）必须连接到一个散热导管。
1.在当输入端接端子（ VTCLK ， VTCLK ）被连接到一个共同的终止电压，如果没有该差分配置
信号被施加，则设备将是容易的自激振荡。
*在BGA封装器件通常终止50
W
到V
TT
= V
CC
1.5 V.
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2
NBSG14
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻（ CLK ， CLK ）
内部输入上拉电阻（ CLK ）
ESD保护
湿度敏感度（注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
人体模型
机器型号
FCBGA16
QFN16
氧指数：28 34
价值
75千瓦
36.5千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 100 V
LEVEL 3
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
158
表4.最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
IN
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压| CLK- CLK |
输入电流过R
T
(50
W
电阻器）
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注3）
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
2S2P （注3）
2S2P （注4 ）
< 15秒
16 FCBGA
16 FCBGA
16 QFN
16 QFN
16 FCBGA
16 QFN
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
CC
V
EE
w
2.8 V
V
CC
V
EE
< 2.8 V
STATIC
浪涌
连续
浪涌
16 FCBGA
16 QFN
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
3.6
3.6
3.6
3.6
2.8
|V
CC
V
EE
|
45
80
25
50
-40到+70
-40至+85
-65到+150
108
86
41.6
35.2
5
4.0
225
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
q
JC
T
SOL
热阻（结到外壳）
波峰焊
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
3. JEDEC标准51-6 ，多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源） 。
4. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
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4
NBSG14
表5. DC特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 2.5 V; V
EE
= 0V （注5）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
V
IL
V
THR
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注6 ）
输出电压振幅
输入高电压（单端）
（注8和10）
输入低电压（单端）
（注9和10）
输入阈值电压
（单端） （注10 ）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注7 ）
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
民
45
1525
315
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
典型值
60
1575
405
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
1625
495
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
2.5
民
45
1550
315
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
25°C
典型值
60
1610
405
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
1650
495
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
2.5
70°C(BGA)/85°C(QFN)**
民
45
1575
315
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
典型值
60
1635
405
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
1675
495
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
2.5
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
R
TIN
I
IH
I
IL
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
W
mA
mA
注： SiGe半导体电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至-0.5 V.
6.所有输出满载50
W
到V
CC
- 1.5 V的BGA封装和V
CC
- 2 V的QFN封装。 V
OH
/V
OL
测量V
IH
/V
IL
（典型值） 。
7. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
8. V
IH
不能超过V
CC
. |V
IH
V
THR
| < 2600毫伏。
9. V
IL
总是
≥
V
EE
. |V
IL
V
THR
| < 2600毫伏。
10. V
THR
是在单端模式中运行时施加到一个输入端的电压。
*用于测试目的的标准结构。
**包装在FCBGA -16的装置，具有70 ° C和器件封装中的QFN -16的最高温度规范具有最大
温度规格为85 ℃。
表6.直流特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 3.3 V; V
EE
= 0 V （注11 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
V
IL
V
THR
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注12 ）
输出电压振幅
输入高电压（单端）
（注14和16 ）
输入低电压（单端）
（注15和16）
输入阈值电压
（单端） （注16 ）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注13 ）
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
民
45
2325
350
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
典型值
60
2375
440
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
2425
530
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
3.3
民
45
2350
350
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
25°C
典型值
60
2410
440
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
2450
530
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
3.3
70°C(BGA)/85°C(QFN)**
民
45
2375
350
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
典型值
60
2435
440
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
2475
530
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
3.3
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
R
TIN
I
IH
I
IL
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
W
mA
mA
注： SiGe半导体电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
11.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至-0.165 V.
12.所有输出满载50
W
到V
CC
- 1.5 V的BGA封装和V
CC
- 2 V的QFN封装。 V
OH
/V
OL
测量V
IH
/V
IL
（典型值） 。
13. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
14. V
IH
不能超过V
CC
. |V
IH
V
THR
| < 2600毫伏。
15. V
IL
总是
≥
V
EE
. |V
IL
V
THR
| < 2600毫伏。
16. V
THR
是在单端模式中运行时施加到一个输入端的电压。
*用于测试目的的标准结构。
**包装在FCBGA -16的装置，具有70 ° C和器件封装中的QFN -16的最高温度规范具有最大
温度规格为85 ℃。
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5
NBSG14
2.5V / 3.3V的SiGe差分
1 ： 4时钟/数据驱动器
RSECL *输出
*低摆幅ECL
http://onsemi.com
描述
标记DIAGRAMS *
该NBSG14是一个1到4个时钟/数据分配芯片，优化的
超低偏移和抖动。
输入包括内部50
W
终端电阻并接受
NECL （负ECL ） ， PECL （正ECL ） ， LVTTL ， LVCMOS ，
CML或LVDS 。输出RSECL （低摆幅ECL ） ， 400毫伏。
特点
SG
14
ALYW
FCBGA16
BA后缀
CASE 489
16
QFN16
MN后缀
CASE 485G
A
L
Y
W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第11页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 9牧师
出版订单号：
NBSG14/D
1
最大输入时钟频率高达12 GHz的典型
最大输入数据速率高达12 Gb / s的典型
30 ps的典型的上升和下降时间
125 ps的典型传播延迟
RSPECL输出与操作范围： V
CC
= 2.375 V至3.465 V
随着V
EE
= 0 V
RSNECL输出与RSNECL或NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
RSECL输出电平（ 400 mV峰峰值输出） ，
迪FF erential输出
50
W
内部输入终端电阻
兼容现有的2.5 V / 3.3 V LVEP ， EP和LVEL设备
无铅包可用
SG14
ALYWG
G
NBSG14
1
A
2
3
4
V
EE
16
VTCLK
Q0
15
Q0
14
V
CC
13
裸露焊盘（ EP ）
Q3
Q3
Q2
VTCLK
B
CLK
VEE
VCC
Q2
1
2
NBSG14
3
4
12 Q1
11 Q1
10 Q2
9
Q2
CLK
CLK
C
CLK
VEE
VCC
Q1
VTCLK
D
VTCLK
Q0
Q0
Q1
5
V
EE
6
Q3
7
Q3
8
V
CC
图1. BGA- 16引脚
（ TOP VIEW ）
图2. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
BGA
D1
C1
QFN
1
2
名字
VTCLK
CLK
I / O
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
描述
内部50
W
终止引脚。见表2 。
倒差分输入。内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
B1
3
CLK
反的差分输入。内部75千瓦至VEE 。
A1
B2,C2
A2*
A3*
B3,C3
A4*
B4*
C4*
D4*
D3*
D2*
不适用
4
5,16
6
7
8,13
9
10
11
12
14
15
VTCLK
V
EE
Q3
Q3
V
CC
Q2
Q2
Q1
Q1
Q0
Q0
EP
内部50
W
终止引脚。见表2 。
负电源电压。所有V
EE
引脚必须从外部连接到
电源供应器，以保证正常运行。
倒差分输出3.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
反的差分输出3.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
正电源电压。所有V
CC
引脚必须从外部连接到
电源供应器，以保证正常运行。
倒差分输出2.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
反的差分输出2.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
倒差分输出1.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
反的差分输出1.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
倒差分输出为0。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
反的差分输出为0。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
裸露焊盘。在封装底部的裸露热焊盘（见案例
拉延）必须连接到一个散热导管。
1.在当输入端接端子（ VTCLK ， VTCLK ）被连接到一个共同的终止电压，如果没有该差分配置
信号被施加，则设备将是容易的自激振荡。
*在BGA封装器件通常终止50
W
到V
TT
= V
CC
1.5 V.
http://onsemi.com
2
NBSG14
V
CC
Q3
Q3
VTCLK
36.5千瓦
Q2
50
W
Q2
CLK
CLK
50
W
VTCLK
75千瓦
75千瓦
Q1
Q1
V
EE
Q0
Q0
图3.逻辑图
表2.接口选择
接口选择
CML
LVDS
交流耦合
RSECL ， PECL ， NECL
LVTTL ， LVCMOS
连接
连接VTCLK和VTCLK到V
CC
连接VTCLK和VTCLK在一起
偏VTCLK并在VTCLK输入
共模范围（V
IHCMR
)
标准ECL终止技术
外部电压（V
THR
）应该被应用到
未使用的差分输入。标称V
THR
为1.5 V的LVTTL
和V
CC
/ 2 LVCMOS输入。这个电压必须是
内伏
THR
特定连接的阳离子。
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻（ CLK ， CLK ）
内部输入上拉电阻（ CLK ）
ESD保护
湿度敏感度（注1 ）
FCBGA16
QFN16
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
人体模型
机器型号
铅PKG
LEVEL 3
LEVEL 1
价值
75千瓦
36.5千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 100 V
无铅PKG
不适用
LEVEL 1
价值
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
158
http://onsemi.com
3
NBSG14
表4.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
IN
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压| CLK- CLK |
输入电流过R
T
(50
W
电阻器）
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注2 ）
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
2S2P （注2）
2S2P （注3）
16 FCBGA
16 FCBGA
16 QFN
16 QFN
16 FCBGA
16 QFN
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
CC
V
EE
w
2.8 V
V
CC
V
EE
< 2.8 V
STATIC
浪涌
连续
浪涌
16 FCBGA
16 QFN
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
3.6
3.6
3.6
3.6
2.8
|V
CC
V
EE
|
45
80
25
50
-40到+70
-40至+85
-65到+150
108
86
41.6
35.2
5
4.0
225
225
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
q
JC
T
SOL
热阻（结到外壳）
波峰焊
Pb
无铅
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
2. JEDEC标准51-6 ，多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源） 。
3. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
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4
NBSG14
表5. DC特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 2.5 V; V
EE
= 0 V （注4 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
V
IL
V
THR
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注5 ）
输出电压振幅
输入高电压（单端）
（注7,9 ）
输入低电压（单端）
（注8和9）
输入阈值电压
（单端） （注9 ）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注6 ）
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
民
45
1525
315
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
典型值
60
1575
405
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
1625
495
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
2.5
民
45
1550
315
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
25°C
典型值
60
1610
405
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
1650
495
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
2.5
70°C(BGA)/85°C(QFN)**
民
45
1575
315
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
典型值
60
1635
405
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
1675
495
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
2.5
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
R
TIN
I
IH
I
IL
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
W
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
*用于测试目的的标准结构。
**包装在FCBGA -16的装置，具有70 ° C和器件封装中的QFN -16的最高温度规范具有最大
温度规格为85 ℃。
4.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至-0.5 V.
5.所有输出满载50
W
到V
CC
- 1.5 V的BGA封装和V
CC
- 2 V的QFN封装。 V
OH
/V
OL
测量V
IH
/V
IL
（典型值） 。
6. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
7. V
IH
不能超过V
CC
. |V
IH
V
THR
| < 2600毫伏。
8. V
IL
总是
≥
V
EE
. |V
IL
V
THR
| < 2600毫伏。
9. V
THR
是在单端模式中运行时施加到一个输入端的电压。
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5
NBSG14
2.5V / 3.3V的SiGe差分
1 ： 4时钟/数据驱动器
RSECL *输出
*低摆幅ECL
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该NBSG14是一个1到4个时钟/数据分配芯片，优化的
超低偏移和抖动。
输入包括内部50
W
终端电阻并接受
NECL （负ECL ） ， PECL （正ECL ） ， LVTTL ， LVCMOS ，
CML或LVDS 。输出RSECL （低摆幅ECL ）
400毫伏。
记号
图*
SG
14
LYW
最大输入时钟频率高达12 GHz的典型
最大输入数据速率高达12 Gb / s的典型
30 ps的典型的上升和下降时间
125 ps的典型传播延迟
FCBGA16
BA后缀
CASE 489
RSPECL输出与操作范围： V
CC
= 2.375 V至3.465 V
随着V
EE
= 0 V
RSNECL输出与RSNECL或NECL输入与
经营范围： V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
RSECL输出电平（ 400 mV峰峰值输出） ，
迪FF erential输出
50
W
内部输入终端电阻
QFN16
MN后缀
CASE 485G
SG14
ALYW
兼容现有的2.5 V / 3.3 V LVEP ， EP和LVEL设备
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关详细信息，请参考应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
NBSG14BA
NBSG14BAR2
包
4×4毫米
FCBGA16
4×4毫米
FCBGA16
3×3毫米
QFN16
3×3毫米
QFN16
航运
100单位/托盘
500 /磁带&卷轴
NBSG14MN
123单位/铁
NBSG14MNR2
3000 /磁带&卷轴
板
NBSG14BAEVB
描述
NBSG14BA评估板
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年8月 - 启示录7
出版订单号：
NBSG14/D
NBSG14
1
A
2
3
4
V
EE
16
VTCLK
Q0
15
Q0
14
V
CC
13
裸露焊盘（ EP ）
Q3
Q3
Q2
VTCLK
B
CLK
VEE
VCC
Q2
1
2
NBSG14
3
4
12 Q1
11 Q1
10 Q2
9
Q2
CLK
CLK
C
CLK
VEE
VCC
Q1
VTCLK
D
VTCLK
Q0
Q0
Q1
5
V
EE
6
Q3
7
Q3
8
V
CC
图1. BGA- 16引脚
（ TOP VIEW ）
图2. QFN- 16引脚
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
BGA
D1
C1
QFN
1
2
名字
VTCLK
CLK
I / O
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
ECL ，CML
LVCMOS ， LVDS ，
LVTTL输入
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
RSECL输出
描述
内部50
W
终止引脚。见表2 。
倒差分输入。内部75千瓦到V
EE
和36.5千瓦到V
CC
.
B1
3
CLK
反的差分输入。内部75千瓦至VEE 。
A1
B2,C2
A2*
A3*
B3,C3
A4*
B4*
C4*
D4*
D3*
D2*
不适用
4
5,16
6
7
8,13
9
10
11
12
14
15
VTCLK
V
EE
Q3
Q3
V
CC
Q2
Q2
Q1
Q1
Q0
Q0
EP
内部50
W
终止引脚。见表2 。
负电源电压。所有V
EE
引脚必须从外部连接到
电源供应器，以保证正常运行。
倒差分输出3.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
反的差分输出3.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
正电源电压。所有V
CC
引脚必须从外部连接到
电源供应器，以保证正常运行。
倒差分输出2.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
反的差分输出2.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
倒差分输出1.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
反的差分输出1.通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
倒差分输出为0。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
反的差分输出为0。通常情况下终止50
W
to
V
TT
= V
CC
2 V*
裸露焊盘。在封装底部的裸露热焊盘（见案例
拉延）必须连接到一个散热导管。
1.在当输入端接端子（ VTCLK ， VTCLK ）被连接到一个共同的终止电压，如果没有该差分配置
信号被施加，则设备将是容易的自激振荡。
*在BGA封装器件通常终止50
W
到V
TT
= V
CC
1.5 V.
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2
NBSG14
表3，属性
特征
内部输入下拉电阻（ CLK ， CLK ）
内部输入上拉电阻（ CLK ）
ESD保护
湿度敏感度（注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
人体模型
机器型号
FCBGA16
QFN16
氧指数：28 34
价值
75千瓦
36.5千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 100 V
LEVEL 3
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
158
表4.最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
INPP
I
IN
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
参数
正电源。
负电源
积极投入
负输入端
差分输入电压| CLK- CLK |
输入电流过R
T
(50
W
电阻器）
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注3）
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
500 LFPM
2S2P （注3）
2S2P （注4 ）
< 15秒
16 FCBGA
16 FCBGA
16 QFN
16 QFN
16 FCBGA
16 QFN
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
CC
V
EE
w
2.8 V
V
CC
V
EE
< 2.8 V
STATIC
浪涌
连续
浪涌
16 FCBGA
16 QFN
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
3.6
3.6
3.6
3.6
2.8
|V
CC
V
EE
|
45
80
25
50
-40到+70
-40至+85
-65到+150
108
86
41.6
35.2
5
4.0
225
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
q
JC
T
SOL
热阻（结到外壳）
波峰焊
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
3. JEDEC标准51-6 ，多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源） 。
4. JEDEC标准多层电路板 - 2S2P （ 2信号， 2个电源）下裸露焊盘的8填充散热孔。
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4
NBSG14
表5. DC特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 2.5 V; V
EE
= 0V （注5）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
V
IL
V
THR
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注6 ）
输出电压振幅
输入高电压（单端）
（注8和10）
输入低电压（单端）
（注9和10）
输入阈值电压
（单端） （注10 ）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注7 ）
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
民
45
1525
315
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
典型值
60
1575
405
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
1625
495
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
2.5
民
45
1550
315
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
25°C
典型值
60
1610
405
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
1650
495
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
2.5
70°C(BGA)/85°C(QFN)**
民
45
1575
315
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
典型值
60
1635
405
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
1675
495
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
2.5
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
R
TIN
I
IH
I
IL
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
W
mA
mA
注： SiGe半导体电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至-0.5 V.
6.所有输出满载50
W
到V
CC
- 1.5 V的BGA封装和V
CC
- 2 V的QFN封装。 V
OH
/V
OL
测量V
IH
/V
IL
（典型值） 。
7. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
8. V
IH
不能超过V
CC
. |V
IH
V
THR
| < 2600毫伏。
9. V
IL
总是
≥
V
EE
. |V
IL
V
THR
| < 2600毫伏。
10. V
THR
是在单端模式中运行时施加到一个输入端的电压。
*用于测试目的的标准结构。
**包装在FCBGA -16的装置，具有70 ° C和器件封装中的QFN -16的最高温度规范具有最大
温度规格为85 ℃。
表6.直流特性，输入，输出RSPECL
V
CC
= 3.3 V; V
EE
= 0 V （注11 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OUTpp
V
IH
V
IL
V
THR
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注12 ）
输出电压振幅
输入高电压（单端）
（注14和16 ）
输入低电压（单端）
（注15和16）
输入阈值电压
（单端） （注16 ）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注13 ）
内部输入终端电阻
输入大电流（ @ V
IH
)
低输入电流（ @ V
IL
)
民
45
2325
350
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
典型值
60
2375
440
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
2425
530
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
3.3
民
45
2350
350
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
25°C
典型值
60
2410
440
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
2450
530
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
3.3
70°C(BGA)/85°C(QFN)**
民
45
2375
350
V
CC
1435
V
IH
2500
V
EE
+
1125
1.2
典型值
60
2435
440
V
CC
1000*
V
CC
1400*
最大
75
2475
530
V
CC
V
IH
150
V
CC
75
3.3
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
V
R
TIN
I
IH
I
IL
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
45
50
80
25
55
150
100
W
mA
mA
注： SiGe半导体电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
11.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至-0.165 V.
12.所有输出满载50
W
到V
CC
- 1.5 V的BGA封装和V
CC
- 2 V的QFN封装。 V
OH
/V
OL
测量V
IH
/V
IL
（典型值） 。
13. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
14. V
IH
不能超过V
CC
. |V
IH
V
THR
| < 2600毫伏。
15. V
IL
总是
≥
V
EE
. |V
IL
V
THR
| < 2600毫伏。
16. V
THR
是在单端模式中运行时施加到一个输入端的电压。
*用于测试目的的标准结构。
**包装在FCBGA -16的装置，具有70 ° C和器件封装中的QFN -16的最高温度规范具有最大
温度规格为85 ℃。
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5
