数据表
异质结型场效应晶体管
NE3510M04
L到S波段低噪声放大器
N沟道HJ -FET
特点
低噪声指数和高增益相关
NF = 0.45 dB典型值。 ，G
a
= 16 dB典型值。 @ F = 4千兆赫，V
DS
= 2 V，I
D
= 15毫安
NF = 0.35 dB典型值。 ，G
a
= 19 dB典型值。 @ F = 2千兆赫，V
DS
= 2 V，I
D
= 10 MA（仅供参考）
扁平引脚4引脚薄型超minimold （ M04 ）封装
应用
卫星广播（ SDARS ， DMB等）天线LNA
低噪声放大器用于微波通信系统
订购信息
产品型号
NE3510M0 4
NE3510M04-T2
订单号
否E 35 10 M0 4-
NE3510M04-T2-A
包
扁平引线4针thin-
型超minimold
（ M04 ） （无铅）
QUANTITY
50 P CS （N R上的鳗鱼）
3千件/卷
记号
V 81
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 （来源） ，引脚2 （漏）的脸
带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号： NE3510M04 -A
绝对最大额定值（T
A
= +25 C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
记
评级
4.0
3.0
I
DSS
140
125
+150
65 150
单位
V
V
mA
A
mW
C
C
T
ch
T
英镑
记
安装在1.08厘米
2
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
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一号文件PG10676EJ01V0DS （第1版）
发布日期2007年NS月
2007
