数据表
异质结型场效应晶体管
NE3510M04
L到S波段低噪声放大器
N沟道HJ -FET
特点
低噪声指数和高增益相关
NF = 0.45 dB典型值。 ,G
a
= 16 dB典型值。 @ F = 4千兆赫,V
DS
= 2 V,I
D
= 15毫安
NF = 0.35 dB典型值。 ,G
a
= 19 dB典型值。 @ F = 2千兆赫,V
DS
= 2 V,I
D
= 10 MA(仅供参考)
扁平引脚4引脚薄型超minimold ( M04 )封装
应用
卫星广播( SDARS , DMB等)天线LNA
低噪声放大器用于微波通信系统
订购信息
产品型号
NE3510M04
NE3510M04-T2
订单号
NE3510M04-A
NE3510M04-T2-A
包
扁平引线4针thin-
型超minimold
( M04 ) (无铅)
QUANTITY
50个(非卷轴)
3千件/卷
记号
V81
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 (来源) ,引脚2 (漏)的脸
带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价,请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号: NE3510M04
绝对最大额定值(T
A
= +25°C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
记
评级
4.0
3.0
I
DSS
140
125
+150
65
+150
单位
V
V
mA
μ
A
mW
°C
°C
T
ch
T
英镑
记
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理,因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PG10676EJ01V0DS (第1版)
发布日期2007年NS月
日本印刷
2007
NE3510M04
S-参数
S参数/设于我们的网站的形式( S2P ),使直接导入到噪声参数
微波电路仿真器没有键盘输入。
点击这里下载S参数。
[RF与微波]
→
[设备参数]
网址http://www.ncsd.necel.com/microwave/index.html
数据表PG10676EJ01V0DS
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数据表
异质结型场效应晶体管
NE3510M04
L到S波段低噪声放大器
N沟道HJ -FET
特点
低噪声指数和高增益相关
NF = 0.45 dB典型值。 ,G
a
= 16 dB典型值。 @ F = 4千兆赫,V
DS
= 2 V,I
D
= 15毫安
NF = 0.35 dB典型值。 ,G
a
= 19 dB典型值。 @ F = 2千兆赫,V
DS
= 2 V,I
D
= 10 MA(仅供参考)
扁平引脚4引脚薄型超minimold ( M04 )封装
应用
卫星广播( SDARS , DMB等)天线LNA
低噪声放大器用于微波通信系统
订购信息
产品型号
NE3510M0 4
NE3510M04-T2
订单号
否E 35 10 M0 4-
NE3510M04-T2-A
包
扁平引线4针thin-
型超minimold
( M04 ) (无铅)
QUANTITY
50 P CS (N R上的鳗鱼)
3千件/卷
记号
V 81
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 (来源) ,引脚2 (漏)的脸
带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价,请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号: NE3510M04 -A
绝对最大额定值(T
A
= +25 C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
记
评级
4.0
3.0
I
DSS
140
125
+150
65 150
单位
V
V
mA
A
mW
C
C
T
ch
T
英镑
记
安装在1.08厘米
2
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理,因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
一号文件PG10676EJ01V0DS (第1版)
发布日期2007年NS月
2007
NE3510M04
S-参数
S参数/设于我们的网站的形式( S2P ),使直接导入到噪声参数
微波电路仿真器没有键盘输入。
点击这里下载S参数。
[RF与微波]
[设备参数]
网址http://www.ncsd.necel.com/microwave/index.html
数据表PG10676EJ01V0DS
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