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数据表
异质结型场效应晶体管
NE3510M04
L到S波段低噪声放大器
N沟道HJ -FET
特点
低噪声指数和高增益相关
NF = 0.45 dB典型值。 ,G
a
= 16 dB典型值。 @ F = 4千兆赫,V
DS
= 2 V,I
D
= 15毫安
NF = 0.35 dB典型值。 ,G
a
= 19 dB典型值。 @ F = 2千兆赫,V
DS
= 2 V,I
D
= 10 MA(仅供参考)
扁平引脚4引脚薄型超minimold ( M04 )封装
应用
卫星广播( SDARS , DMB等)天线LNA
低噪声放大器用于微波通信系统
订购信息
产品型号
NE3510M04
NE3510M04-T2
订单号
NE3510M04-A
NE3510M04-T2-A
扁平引线4针thin-
型超minimold
( M04 ) (无铅)
QUANTITY
50个(非卷轴)
3千件/卷
记号
V81
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 (来源) ,引脚2 (漏)的脸
带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价,请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号: NE3510M04
绝对最大额定值(T
A
= +25°C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
评级
4.0
3.0
I
DSS
140
125
+150
65
+150
单位
V
V
mA
μ
A
mW
°C
°C
T
ch
T
英镑
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理,因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PG10676EJ01V0DS (第1版)
发布日期2007年NS月
日本印刷
2007
NE3510M04
推荐工作条件(T
A
= +25°C)
参数
漏源极电压
漏电流
输入功率
符号
V
DS
I
D
P
in
分钟。
典型值。
2
15
马克斯。
3
30
0
单位
V
mA
DBM
电气特性(T
A
= + 25 ℃,除非另有规定)
参数
门源漏电流
饱和漏极电流
门源截止电压
噪声系数
相关的增益
增益1 dB压缩
输出功率
符号
I
GSO
I
DSS
V
GS (关闭)
g
m
NF
G
a
P
O(1 dB为单位)
V
DS
= 2 V,I
D
= 15 MA(非RF )
F = 4 GHz的
V
GS
=
3
V
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V,I
D
= 100
μ
A
V
DS
= 2 V,I
D
= 15毫安
V
DS
= 2 V,I
D
= 15 mA时, F = 4 GHz的
测试条件
分钟。
42
0.35
70
14.5
典型值。
0.5
70
0.7
0.45
16
+11
马克斯。
10
97
1.10
0.65
单位
μ
A
mA
V
mS
dB
dB
DBM
2
数据表PG10676EJ01V0DS
NE3510M04
典型特征(T
A
= + 25 ℃,除非另有规定)
总功耗
- 环境温度
250
100
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
( 1.08厘米
2
×
1.0毫米( t))的
90
V
DS
= 2 V
漏电流与
栅极至源极电压
总功耗P
合计
( mW)的
漏电流I
D
(MA )
200
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–1.0
150
100
50
0
50
100
150
200
250
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
环境温度T
A
(°C)
栅极至源极电压V
GS
(V)
最小噪声系数,
相关的增益与频率
最小噪声系数NF
( dB)的
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
24
V
DS
= 2 V
22
I
D
= 15毫安
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
15
100
90
漏电流与
漏源极电压
V
GS
= 0 V
–0.1
V
–0.2
V
–0.3
V
–0.4
V
–0.5
V
–0.6
V
–0.7
V
1
2
3
4
5
相关增益G
a
( dB)的
G
a
漏电流I
D
(MA )
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
NF
5
10
频率f( GHz)的
漏极至源极电压V
DS
(V)
最小噪声系数,
相关的增益与漏极电流
最小噪声系数NF
( dB)的
最小噪声系数NF
( dB)的
1.2
F = 2.0 GHz的
1.1
V
DS
= 2 V
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
35
最小噪声系数,
相关的增益与漏极电流
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
24
F = 4.0 GHz的
22
V
DS
= 2 V
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
25
30
35
相关增益G
a
( dB)的
G
a
G
a
NF
NF
5
10
15
20
25
30
5
10
15
20
漏电流I
D
(MA )
漏电流I
D
(MA )
备注
该图表显示的标称特性。
数据表PG10676EJ01V0DS
3
相关增益G
a
( dB)的
NE3510M04
输出功率,增益,漏电流,
栅极电流随输入功率
20
F = 4 GHz的,
V
DS
=
2 V
I
D
= 15 mA设定(非RF)
60
收益
50
P
出( 1音)
10
40
15
输出功率P
出( 1音)
( dBm的)
增益(dB )
5
30
0
20
–5
I
D
I
G
10
–10
–20
–15
–10
–5
0
5
10
0
15
输入功率P
在(1音)
( dBm的)
输出功率, IM
3,
漏电流
随输入功率
30
50
F = 4 GHz的,
V
DS
=
2 V
I
D
= 15 mA设定(非RF)
P
OUT
OIP
3
= +20 dBm的
45
40
35
国际投资头寸
3
= +4 dBm的
–10
IM
3 (H)
–20
IM
3 (L)
–30
–40
–50
–60
–70
–40
I
D
20
15
10
5
–30
–20
–10
0
0
10
25
30
输出功率P
出( 1音)
( dBm的)
三阶互调失真IM
3
( dBm的)
20
10
0
输入功率P
在(1音)
( dBm的)
备注
该图表显示的标称特性。
4
数据表PG10676EJ01V0DS
漏电流I
D
(MA )
漏电流I
D
(MA )
门电流I
G
(MA )
NE3510M04
S-参数
S参数/设于我们的网站的形式( S2P ),使直接导入到噪声参数
微波电路仿真器没有键盘输入。
点击这里下载S参数。
[RF与微波]
[设备参数]
网址http://www.ncsd.necel.com/microwave/index.html
数据表PG10676EJ01V0DS
5
数据表
异质结型场效应晶体管
NE3510M04
L到S波段低噪声放大器
N沟道HJ -FET
特点
低噪声指数和高增益相关
NF = 0.45 dB典型值。 ,G
a
= 16 dB典型值。 @ F = 4千兆赫,V
DS
= 2 V,I
D
= 15毫安
NF = 0.35 dB典型值。 ,G
a
= 19 dB典型值。 @ F = 2千兆赫,V
DS
= 2 V,I
D
= 10 MA(仅供参考)
扁平引脚4引脚薄型超minimold ( M04 )封装
应用
卫星广播( SDARS , DMB等)天线LNA
低噪声放大器用于微波通信系统
订购信息
产品型号
NE3510M0 4
NE3510M04-T2
订单号
否E 35 10 M0 4-
NE3510M04-T2-A
扁平引线4针thin-
型超minimold
( M04 ) (无铅)
QUANTITY
50 P CS (N R上的鳗鱼)
3千件/卷
记号
V 81
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 (来源) ,引脚2 (漏)的脸
带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价,请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号: NE3510M04 -A
绝对最大额定值(T
A
= +25 C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
评级
4.0
3.0
I
DSS
140
125
+150
65 150
单位
V
V
mA
A
mW
C
C
T
ch
T
英镑
安装在1.08厘米
2
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理,因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
一号文件PG10676EJ01V0DS (第1版)
发布日期2007年NS月
2007
NE3510M04
推荐工作条件(T
A
= +25 C)
参数
漏源极电压
漏电流
输入功率
符号
V
DS
I
D
P
in
分钟。
典型值。
2
15
马克斯。
3
30
0
单位
V
mA
DBM
电气特性(T
A
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
门源漏电流
饱和漏极电流
门源截止电压
噪声系数
相关的增益
增益1 dB压缩
输出功率
符号
I
GSO
I
DSS
V
GS (关闭)
g
m
NF
G
a
P
O(1 dB为单位)
V
DS
= 2 V,I
D
= 15 MA(非RF )
F = 4 GHz的
V
GS
= 3 V
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V,I
D
= 100 A
V
DS
= 2 V,I
D
= 15毫安
V
DS
= 2 V,I
D
= 15 mA时, F = 4 GHz的
14.5
42
0.35
70
0.45
16
+11
0.65
测试条件
分钟。
典型值。
0.5
70
0.7
马克斯。
10
97
1.10
单位
A
mA
V
mS
dB
dB
DBM
2
数据表PG10676EJ01V0DS
NE3510M04
典型特征(T
A
= 25 ℃,除非另有规定)
总功耗
- 环境温度
250
100
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
( 1.08厘米
2
1.0毫米( t))的
90
V
DS
= 2 V
漏电流与
栅极至源极电压
总功耗P
合计
( mW)的
漏电流I
D
(MA )
200
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–1.0
150
100
50
0
50
100
150
200
250
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
环境温度T
A
( C)
栅极至源极电压V
GS
(V)
最小噪声系数,
相关的增益与频率
最小噪声系数NF
( dB)的
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
24
V
DS
= 2 V
22
I
D
= 15毫安
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
15
100
90
漏电流与
漏源极电压
V
GS
= 0 V
–0.1
V
–0.2
V
–0.3
V
–0.4
V
–0.5
V
–0.6
V
–0.7
V
1
2
3
4
5
相关增益G
a
( dB)的
G
a
漏电流I
D
(MA )
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
NF
5
10
频率f( GHz)的
漏极至源极电压V
DS
(V)
最小噪声系数,
相关的增益与漏极电流
最小噪声系数NF
( dB)的
最小噪声系数NF
( dB)的
1.2
F = 2.0 GHz的
1.1
V
DS
= 2 V
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
35
最小噪声系数,
相关的增益与漏极电流
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
24
F = 4.0 GHz的
22
V
DS
= 2 V
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
25
30
35
G
a
相关增益G
a
( dB)的
G
a
NF
NF
5
10
15
20
25
30
5
10
15
20
漏电流I
D
(MA )
漏电流I
D
(MA )
备注
该图表显示的标称特性。
数据表PG10676EJ01V0DS
3
相关增益G
a
( dB)的
NE3510M04
输出功率,增益,漏电流,
栅极电流随输入功率
20
F = 4 GHz的,
V
DS
=
2 V
I
D
= 15 mA设定(非RF)
60
收益
50
P
出( 1音)
10
40
15
输出功率P
出( 1音)
( dBm的)
增益(dB )
5
30
0
20
–5
I
D
I
G
10
–10
–20
15
–10
–5
0
5
10
0
15
输入功率P
在(1音)
( dBm的)
输出功率, IM
3,
漏电流
随输入功率
30
50
F = 4 GHz的,
V
DS
=
2 V
I
D
= 15 mA设定(非RF)
P
OUT
OIP
3
= +20 dBm的
45
40
35
国际投资头寸
3
= +4 dBm的
–10
IM
3 (H)
–20
IM
3 (L)
–30
–40
–50
–60
–70
40
I
D
20
15
10
5
–30
–2 0
–10
0
0
10
25
30
输出功率P
出( 1音)
( dBm的)
三阶互调失真IM
3
( dBm的)
20
10
0
输入功率P
在(1音)
( dBm的)
备注
该图表显示的标称特性。
4
数据表PG10676EJ01V0DS
漏电流I
D
(MA )
漏电流I
D
(MA )
门电流I
G
(MA )
NE3510M04
S-参数
S参数/设于我们的网站的形式( S2P ),使直接导入到噪声参数
微波电路仿真器没有键盘输入。
点击这里下载S参数。
[RF与微波]
[设备参数]
网址http://www.ncsd.necel.com/microwave/index.html
数据表PG10676EJ01V0DS
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NE3510M04
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
NE3510M04
HAMOS/汉姆
24+
22000
SOT-343
原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NE3510M04
RENESAS/瑞萨
21+
17600
SOT-343
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NE3510M04
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10229
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
NE3510M04
RENESAS/瑞萨
21+
17600
SOT-343
全新原装正品/质量有保证
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