半导体
技术参数
一般工业用途。
切换应用程序。
KTA711T
外延平面PNP晶体管
E
特点
优秀
FE
线性
: h
FE
（2）= 25 （分钟）在V
CE
= -6V ，我
C
=-400mA.
G
A
F
K
1
B
K
6
补充KTC811T 。
2
5
暗淡
A
B
C
D
E
D
F
G
H
I
3
4
MILLIMETERS
_
2.9 + 0.2
1.6+0.2/-0.1
_
0.70 + 0.05
_
0.4 + 0.1
2.8+0.2/-0.3
_
1.9 + 0.2
0.95
_
0.16 + 0.05
0.00-0.10
0.25+0.25/-0.15
0.60
0.55
G
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
C
J
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
*
T
j
T
英镑
0.8
)
等级
-35
-30
-5
-500
500
0.9
150
-55
150
单位
V
V
V
mA
mA
W
K
L
J
J
H
I
L
1. Q
1
2. Q
1
3. Q
2
4. Q
2
5. Q
2
6. Q
1
辐射源
BASE
集热器
辐射源
BASE
集热器
TS6
等效电路（顶视图）
6
5
4
*封装安装在陶瓷基板（600
Q1
Q2
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
注：H
FE
（ 1 ）分类
h
FE
（2）分类
0:70 140,
0： 25分钟，
Y:120
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（1）（注）
h
FE
（2）（注）
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
240
Y： 40分钟。
测试条件
V
CB
= -35V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -6V ，我
C
=-400mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -6V ，我
C
=-20mA
V
CB
= -6V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
-
-
70
25
-
-
-
-
1
2
3
分钟。
典型值。
-
-
-
-
-0.1
-0.8
200
13
马克斯。
-0.1
-0.1
240
-
-0.25
-1.0
-
-
单位
A
A
V
V
兆赫
pF
记号
h
FE
秩
型号名称
6
5
4
LOT号
S
1
2
3
2001. 6. 27
版本号： 0
1/2
