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半导体

技术参数

一般工业用途。

切换应用程序。

KTA711T

外延平面PNP晶体管

E

特点

优秀

FE

线性

: h

FE

（2）= 25 （分钟）在V

CE

= -6V ，我

C

=-400mA.

G

A

F

K

1

B

K

6

补充KTC811T 。

2

5

暗淡

A

B

C

D

E

D

F

G

H

I

3

4

MILLIMETERS

_

2.9 + 0.2

1.6+0.2/-0.1

_

0.70 + 0.05

_

0.4 + 0.1

2.8+0.2/-0.3

_

1.9 + 0.2

0.95

_

0.16 + 0.05

0.00-0.10

0.25+0.25/-0.15

0.60

0.55

G

最大额定值（ TA = 25

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

发射极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

)

C

J

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

E

P

C

*

T

j

T

英镑

0.8

)

等级

-35

-30

-5

-500

500

0.9

150

-55

150

单位

V

V

V

mA

mA

W

K

L

J

J

H

I

L

1. Q

1

2. Q

1

3. Q

2

4. Q

2

5. Q

2

6. Q

1

辐射源

BASE

集热器

辐射源

BASE

集热器

TS6

等效电路（顶视图）

6

5

4

*封装安装在陶瓷基板（600

Q1

Q2

电气特性（ TA = 25 ）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

集电极输出电容

注：H

FE

（ 1 ）分类

h

FE

（2）分类

0:70 140,

0： 25分钟，

Y:120

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

（1）（注）

h

FE

（2）（注）

V

CE （ SAT ）

V

BE

f

T

C

ob

240

Y： 40分钟。

测试条件

V

CB

= -35V ，我

E

=0

V

EB

= -5V ，我

C

=0

V

CE

= -1V ，我

C

=-100mA

V

CE

= -6V ，我

C

=-400mA

I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA

V

CE

= -1V ，我

C

=-100mA

V

CE

= -6V ，我

C

=-20mA

V

CB

= -6V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

-

-

70

25

-

-

-

-

1

2

3

分钟。

典型值。

-

-

-

-

-0.1

-0.8

200

13

马克斯。

-0.1

-0.1

240

-

-0.25

-1.0

-

-

单位

A

A

V

V

兆赫

pF

记号

h

FE

秩

型号名称

6

5

4

LOT号

S

1

2

3

2001. 6. 27

版本号： 0

1/2

KTA711T

I

C

- V

CE

-600

集电极电流I

C

（MA ）

-500

-400

-300

-200

-100

0

0

-1

-2

-3

0

-8 -7

-6

-5

常见

辐射源

TA = 25℃

-4

-3

-2

I

B

=-1mA

h

FE

- I

C

1k

500

直流电流增益

FE

300

TA = 100℃

TA = 25℃

V

CE

=-6V

共发射极

100

50

30

TA = -25℃

V

CE

=-1V

-4

-5

10

-0.3

-1

-3

-10

-30

-100

-300

-1k

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

（MA ）

V

CE （ SAT ）

- I

C

集电极 - 发射极饱和

电压V

CE （ SAT ）

(V)

-3

-1

-0.5

-0.3

-0.1

-0.05

-0.03

-0.01

-0.5 -1

-3

-10

-30

-100

-300

-1k

TA = 100℃

TA = 25℃

TA = -25℃

共发射极

I

C

/I

B

=10

I

B

- V

BE

-3k

基极电流I

B

(A)

-1k

-300

-100

-30

-10

-3

-1

-0.3

0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0

-1.2

常见

辐射源

V

CE

=-6V

C

Ta=1

00

5 C

25 C

TA = -

集电极电流I

C

（MA ）

基极 - 发射极电压V

BE

(V)

PC - TA

集电极耗散功率

P

C

(W)

1.2

安装在一

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

陶瓷板

(600mm

2

0.8mm)

0

20

40

60

80

100

120

140

160

周围温度Ta （℃）

2001. 6. 27

版本号： 0

Ta=2

2/2

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