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ISL8106
MOSFET栅极驱动器
该ISL8106具有内部栅极驱动顶侧和
底侧N通道MOSFET 。底侧栅极
驱动程序的低占空比应用进行了优化，其中
底侧MOSFET的导通损耗占主导地位，
需要低
r
DS （ ON）
MOSFET。该BGATE下拉
阻力小，以便夹紧MOSFET的栅极
下面的V
GS （ TH）
在关断。通过电流的瞬态
在关断门可以是相当大的，因为
切换电荷的低
r
DS （ ON）
MOSFET可以是大的。
两位车手加入底侧MOSFET的
同时进行，缩短了输入电源。
关断过程中的底侧MOSFET时， BGATE到
地线电压进行监视，直到它到达一个1V的阈值，在
该时间TGATE驾驶员被允许切换。中
关闭顶侧MOSFET时， TGATE到LX电压
监视，直到它到达一个1V的阈值，在该时间的
BGATE驾驶员被允许切换。
输入功率为BGATE驱动电路是了源代码
直接从PVCC销。输入功率为TGATE
驱动电路是由一个“启动”电容连接源
从BOOT引脚和LX引脚。启动电容器
通过内部肖特基从5V偏置电源充电
二极管每次底侧MOSFET导通。
整流器，开关的底侧MOSFET不管
输出电感电流的极性。在DEM中，
在负电流底侧MOSFET被禁用
流从输出电感器。 DEM是允许的时
FCCM引脚被拉低，和残疾人时拉高。
当DEM允许，转换器会自动
根据负载情况选择FCCM或DEM 。如果正
LX引脚电压的测量，连续8个PWM
个脉冲，则该转换器将进入二极管仿真模式
在下一个PWM周期。如果负LX引脚电压
测量时，转换器将退出DEM以下PWM
脉搏。音频滤波器掺入的PWM
产生电路系统，以防止在开关频率
从在低负荷条件下进入可听频谱。
过流和短路保护
当在OCP或SCP的故障被检测到， ISL8106
过流和短路保护电路会拉
PGOOD引脚为低电平，并锁断转换器。故障会
保持锁定，直到EN引脚拉至低于V
ENF
或者，如果
电压VIN引脚被降低的范围内， V
CC
有
跌破POR V
CCF
门槛。选择
电阻R的适当值
BSOC
是从连接
该BSOC销的底部侧的漏极端
MOSFET程序的OCP阈值。
OCP的电路测量正向流动，峰值电流
通过输出电感器，而不是直流电流从
该转换器提供给负载。底侧MOSFET的漏极
电流被假定为等于正输出
电感电流在顶侧MOSFET关断。
通过底部侧MOSFET电流简要地进行
体二极管，直到BGATE驱动为高电平。高峰
电感电流通过的R A的电压
DS （ ON）
of
底侧MOSFET一样，如果它是一个离散的电流 -
检流电阻。一个OCP故障时会发生BSOC销
已测得超过所述OCP阈值电流I
业主立案法团，
on
连续的PWM脉冲，期限超过20微秒。它
不要紧，有多少PWM脉冲测量
在20μs的时间。如果测量结果低于我
OC
前20μs的已经过去时，则定时器被复位到零。一
当BSOC脚已测将发生SCP故障多
比短路阈值电流I
SC ，
在小于
为10μs ，在连续的PWM脉冲。关系
我的
D
我
BSOC
可以写为：
I
BSOC
R
BSOC
=
I
D
r
DS
(
ON
)
（当量3）
TGATE
50%
BGATE
t
BGFTGR
t
TGFBGR
50%
图3.栅极驱动时序图
二极管仿真
正感应器电流可以流
从
顶固之源
侧MOSFET或
从
底侧MOSFET的漏极。
负电感电流流
INTO
的自下而上的漏极
侧MOSFET 。当底侧MOSFET导通
正电感电流，对LX的电压将是负的
对于GND引脚。相反，当底侧
MOSFET导通负电感电流，电压LX
将相对于GND引脚阳性。负
时的电感电流，当输出负载电流小于
than ½ the inductor ripple current.
的ISL8106可以配置在forced-操作
连续导通模式（ FCCM ）或在二极管emulation-
模式（DEM） ，从而可以提高轻负载效率。在
FCCM ，控制器总是作为一个同步
R的值
BSOC
然后可以写为：
I
PP
-
I
FL
+ --------
OC
SP
r
DS
(
ON
)
2
R
BSOC
= ----------------------------------------------------------------------------
I
OC
（公式4），
9
FN9283.1
二〇〇六年十一月一十日
