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ISL8106
平行调整ESR ，以达到所需V
PP
.
电容器的电感可以引起短暂的电压下降
当负载瞬变具有非常高的压摆率。
与反向构建低电感电容
封装的几何形状是可用的。
一种电容器，散热作为电流有效值的函数。有
相信我
PP
由足够量的共享的并联
电容，使他们在低于额定最大
RMS电流。考虑到的一个指定的值
电容器可以下降多达50 ％的直流电压
通过它增加。
除了大电容，一些低ESL的陶瓷
电容建议漏极之间去耦
顶侧MOSFET的源极终端的终端
底侧MOSFET中，为了减小电压
通过在寄生的开关电流振荡产生
电路元件。
MOSFET的选择与注意事项
通常情况下， MOSFET，无法忍受，甚至短暂的旅行
超出了他们的最大漏极至源极电压等级。该
中的功率转换级中MOSFET
转换器应该有一个最大V
DS
等级超过
上部电压容差的输入电源，而
当MOSFET开关产生的电压尖峰
关。将低ESR陶瓷电容尽可能靠近
跨顶侧MOSFET和漏极实际
底侧MOSFET的源极将减少
幅度的关断电压尖峰。
该MOSFET的输入电容C
国际空间站
和通态漏
源阻抗R
DS （ ON）
，是在一定程度上，逆
有关;减少的R
DS （ ON）
通常会导致增加
的C
国际空间站
。这两个参数影响到工作效率
转换的方式不同。第r
DS （ ON）
影响电源
损失时， MOSFET被完全打开，并且
传导电流。了C
国际空间站
影响功率损失时
在MOSFET正积极进行切换。开关时间增加
为C
国际空间站
增加。当MOSFET开关它会短暂地
传导电流，而漏极到源极电压仍
目前。在这段时间内的功率损耗是相当可观
因此必须尽可能的短，实用。常的顶侧
MOSFET和底侧MOSFET是不同
而必须与制造的设备由于取舍
C
国际空间站
和R
DS （ ON）
.
底侧的MOSFET功率损失是由主导
r
DS （ ON）
因为它传导电流，为广大的
PWM开关周期;第r
DS （ ON）
应小。该
开关损耗是小的底侧MOSFET连
虽然
国际空间站
是大的，由于低R
DS （ ON）
该装置的，
由于漏 - 源电压由主体夹紧
二极管。顶侧MOSFET功率损耗是由主导
C
国际空间站
因为它传导电流的少数
PWM开关周期;了C
国际空间站
应小。该
相比于顶侧MOSFET的开关损耗是大
底侧MOSFET ，因为其漏极连接到源极
电压不被钳位。为底侧MOSFET ，其
功率损耗可以被假定为唯一的导通损耗
并且可以写为：
P
CONBS
D
(
V
IN
) ≈ [
I
负载
]
选择输入电容的
对于大容量输入电容的重要参数
额定电压和RMS电流额定值。对于可靠
操作上，选择电压和电流的大容量电容器
以上的最大输入电压，并且能够收视
供给RMS电流通过开关电路必需的。
其电压额定值应该至少1.25倍的
1.5比最大输入电压，而电压等级
次是优选的评级。图5是输入的图
RMS纹波电流，归与输出负载电流，
作为占空比的函数被调整为转换器
效率。纹波电流计算写为：
2
2
2
D
-
(
I
最大
(
D
–
D
) )
+
x
I
最大
-----
12
-
I
IN_RMS
= ----------------------------------------------------------------------------------------------------
I
最大
（当量14）的
其中：
- I
最大
是最大连续我
负载
该转换器的
- x是一个乘数（ 0到1）相对应的电感
峰 - 峰值的波动幅度表示为
我个
最大
（0％至100％）
- D为占空比被调整以考虑到
该转换器的信息被写入作为效率：
V
OUT
-
D
= -------------------------
V
IN
EFF
归一化输入纹波电流
0.6
0.55
0.5
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0
0.1
0.2
0.3
x=1
x = 0.75
x = 0.50
x = 0.25
x=0
2
r
DS
(
ON
） BS
[
1
–
D
(
V
IN
) ]
（当量15）
为顶侧MOSFET ，它的导通损耗可能被写
如：
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
P
CONTS
D
(
V
IN
)
=
[
I
负载
]
2
r
DS
(
ON
） TS
D
(
V
IN
)
（当量16）
占空比
图5.归一化RMS输入电流X = 0.8
12
FN9283.1
二〇〇六年十一月一十日
