ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
应用注意事项
在软启动，并与所述超时延迟时间
IC在电流限制模式下， V
GS
外部N沟道
MOSFET被降低的驱动MOSFET开关成（线性
区）高R
DS （ ON）
状态。罢工CR之间的平衡
限和定时要求，以避免周期时
外部N沟道MOSFET可能被损坏或摧毁
由于过度的内部功耗。参阅
MOSFET SOA
在制造商的数据表。
当驱动特别大的容性负载更长的软
开始时间，以防止在充电时和一个电流调节
短CR时间可能会提供应用解决方案相对最好的
到可靠性和场效应管的MTF 。
的R物理布局
SENSE
电阻器
是关键的，以避免
可能性虚假过流事件。理想情况下，跟踪
在R的路由
SENSE
电阻器和所述IC是直接
和尽可能短，在所述感测线的零电流
（参见图1） 。
12V
DD1
负载
0.001F
2kΩ
R
CL
1.58kΩ
1W
0.01F
ISL6116
4
0.047F
PWRON
5
3
6
2
NC
7
1
8
0.005
1%
1.47kΩ
1%
V
公共汽车
-48V
图2中。
正确
不正确
偏置ISL6116
表3给出了用于偏置的典型元件值
ISL6116的
±48V
应用程序。公式和
被计算得出这些值也如下所示。
TO ISEN和
R
ISET
表3.典型值给一个-48V热插拔
应用
符号
当前
检测电阻器
参数
1.58kΩ ， 1W
12V齐纳二极管为50mA反向电流
R
CL
DD1
图1.检测电阻PCB LAYOUT
使用ISL6116为-48V低端热卖
更换电源控制器
供应所需的V
DD
，有必要维持
芯片供应10至16V以上的-48V总线。这可能是
完成与电压之间的合适调节器
铁路和5脚（ VDD ） 。通过使用一个调节器，设计者可以
忽略总线电压的变化。然而，低成本的
替代方案是使用一个齐纳二极管（参见图2为典型的
5A负载控制） ;下面这个选项详细说明。
注意，在这种配置中，PGOOD特征（引脚7）是
不可操作的余
SEN
脚电压始终是< UV
门槛。
参见图17至20和相关-48V波形
其他高电压应用。
当使用ISL6116控制-48V ，齐纳二极管可
可用于提供所述的+ 12V偏压到芯片上。如果是齐纳
用于再一个限流电阻也应使用。
选择时，几个项目必须考虑到
为限流电阻值（R
CL
）和齐纳二极管
(DD1):
在V的变化
公共汽车
（在这种情况下， -48V标称）
该芯片的电源电流需要的所有功能条件
R的额定功率
CL
.
DD1的额定电流
公式
1.选型
CL
:
R
CL
= (V
BUS ， MIN
- 12)/I
芯片
2.额定功率的R
CL
:
P
RCL
= I
C
(V
BUS ， MAX
- 12)
3. DD1额定电流：
I
DD1
= (V
BUS ， MAX
- 12)/R
CL
6
2007年2月6日
