ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
电气规格
参数
V
DD
= 12V ，T
A
= T
J
= 0 ° C至+ 85°C ，除非另有说明
符号
测试条件
（续）
民
典型值
最大单位
电流调节时间/ POWER GOOD
C
TIM
充电电流
C
TIM
断层的上拉电流（注3 ）
电流限制超时阈值电压
电源良好下拉电流
C
TIM
± Vth的
PG_Ipd
CTIM电压
V
OUT
= 0.5V
C
TIM
_ichg0
V
CTIM
= 0V
16
-
1.3
-
20
20
1.8
8
23
-
2.3
-
μA
mA
V
mA
说明和操作
这个家庭的成员是单电源供电
对于一般的热插拔应用分发控制器
穿越+ 2.5V至+ 12V的电源电压范围。该ISL6115是
针对+ 12V开关应用而
ISL6116是针对+ 5V时， ISL6117为+ 3.3V和
ISL6120为+ 2.5V的应用。每个IC具有硬连线
欠压（ UV）阈值水平约低17 ％
比规定的电压。
这些IC具有高精度可编程
过流（ OC ）检测比较器，可编程
电流调节（ CR ），具有可编程时间延迟锁存
断，可编程软启动接通匝道都设置了
最少的外部无源组件。该芯片还
包括严重的过流保护立即关闭
MOSFET开关应快速负载电流瞬变，如
一个近乎完全短路引起的CR Vth的超过
由150mV的编程水平。此外，该IC具有一个紫外
指示灯和一个OC锁存指标。的功能
PGOOD功能被启用，一旦IC偏置，监视
和报告的ISEN脚的紫外线条件。
在初始上电时，该IC可以隔离电压
通过保持外部N沟道从负载供电
MOSFET关断或直接将电源轨电压
负载为真正的热插拔功能。该PWRON管脚必须
被拉低该设备以隔离从电源
负载握住外部N沟道MOSFET关断。
随着高举或浮动的IC将在PWRON引脚
真正的热插拔模式。在这两种情况下的IC打开在一个软
启动模式保护电源轨的突然涌入
电流。
在导通时， N沟道的外部栅极电容器
MOSFET被指控10μA电流源产生
作为可编程斜坡（软启动导通） 。内部
ISL6115电荷泵提供了12V的栅极驱动
电源开关驱动的门V
DD
+ 5V ，对于其他
3芯片的栅极驱动电压被限制在芯片偏压
电压VDD 。
负载电流通过外部电流检测
电阻器。当检测电阻两端的电压超过
用户编程的CR电压阈值时， （见
表1对于R
ISET
编程电阻值，并导致
额定电流调节阈值电压，V
CR
）的
控制器进入其目前的监管模式。此时，该
超时电容，基于C
TIM
引脚被控20μA电流
源和所述控制器进入限流时间来闩
冷静期。的电流限制时间的长度闩锁关
持续时间是由一个单一的外部电容的值设置（见
表2） CTIM电容值，并导致名义
当前有限时间来闩锁关闭持续时间放置在离
CTIM引脚（引脚6 ）接地。编程电流水平
持有，直到业主立案法团事件传递或超时时段
过期。如果是前者的情况下，则N沟道
MOSFET完全而C
TIM
电容
出院。一旦CTIM充电至1.87V ，这表明了
超时时间已过期的内部锁存器设置，从而
FET栅极被迅速拉至0V关闭N沟道
MOSFET开关，隔离故障负荷。
表1中。
R
ISET
电阻器
10kΩ
4.99kΩ
2.5kΩ
750Ω
注：标称Vth的= R
ISET
X 20μA 。
表2中。
C
TIM
电容
0.022μF
0.047μF
0.1μF
标称电流限制期
2ms
4.4ms
9.3ms
标称OC VTH
200mV
100mV
50mV
15mV
注：标称超时周期= C
TIM
X 93kΩ 。
该IC响应一个严重的过电流负载（定义为一
检测电阻两端的电压>150mV在OC Vth的集
点） ，立即驱动N沟道MOSFET栅极
0V大约为10μs 。栅极电压随后缓慢上升
打开N沟道MOSFET的电流编程
监管水平;这是其中的超时时段的开始。
在紫外线条件下的PGOOD信号拉低时
通过一个电阻，以逻辑或VDD电源接高电平。这
脚是UV故障指示器。对于OC闭锁指示，
监控CTIM脚6该引脚将从1.9V迅速上升到
VDD一旦走出期满的时间。
相关的文本波形见图12至16 。
该IC是由低电平后的OC闭锁关断状态复位
上的PWRON销和由PWRON销接通
被驱动为高电平。
5
2007年2月6日
