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EtronTech
1M ×16 SDRAM
EM636165
图15.3 。交错列写周期
（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 3 ）
T0
CLK
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CK3
CKE
CS ＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
A11
A10
RAx上
RBW
A0~A9
RAx上
的CAx RBW
CBW
CBX
CBY
沙洲
的CBz
DQM
t
RCD
t
RRD
＆ GT ;吨
RRD （分钟）
t
WR
t
RP
t
WR （分钟）
DQ
高阻
DAx0 DAX1 DAx2 DAx3 DBW0 DBw1 DBx0 DBx1 DBy0 DBy1 DAy0 DAY1 DBz0 DBz1 DBz2 DBz3
激活
命令
银行
激活
命令
B组
写
命令
银行
写
命令
B组
写
命令
B组
写
命令
B组
写
命令
银行
写
命令
B组
预充电
命令
银行
预充电
命令
B组
初步
54
第2.7版2006年3月
