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EtronTech
1M ×16 SDRAM
EM636165
图14.3 。交错列读周期
(突发长度= 4 , CAS#延迟= 3 )
T0
CLK
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CK3
CKE
CS #
RAS #
CAS #
WE#
A11
A10
RAx上
RBx上
A0~A9
RAx上
的CAx
RBx上
CBX
CBY
的CBz
沙洲
DQM
t
RCD
t
AC3
DQ
高阻
Ax0
AX1 Ax2相
AX3 Bx0
Bx1
BY0 BY1
Bz0
BZ1 AY0
Ay1
Ay2
Ay3
激活
命令
银行
读
命令
银行
激活
命令
B组
读
命令
B组
读
命令
B组
读
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B组
阅读Prechaerge
命令命令
B组
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预充电
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初步
51
第2.7版2006年3月