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EtronTech
T0
CLK
T1
T2
COM命令
NOP
写一个
NOP
1M ×16 SDRAM
T3
T4
T5
T6
EM636165
T7
T8
NOP
突发停止
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS＃延迟= 1 ，2，3
DQ 'S
DIN A0
DIN A1
DIN A2
不关心
输入数据的写入被屏蔽。
终止突发写入操作
（突发长度= X ， CAS＃延迟= 1 ， 2 ， 3 ）
10
装置取消命令
（ CS ＃ = "H" ）
该装置取消命令禁用指令译码器，以使RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃
和地址输入将被忽略，而不管在CLK是否被使能。此命令类似于
在无操作指令。
自动刷新命令（参见图3 & 4时序波形）
（ RAS ＃ = "L" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "H" ， CKE = "H" ， A11 =
“别
护理， A0 -A9 =无关）
在自动刷新命令对SDRAM的正常操作期间使用的，并且类似于
CAS ＃ -before - RAS ＃ （ CBR ）刷新在传统的DRAM 。这个命令是不持久的，所以它
必须刷新每次需要出具。寻址是由内部刷新生成
控制器。这使得一个自动刷新命令在地址位A "don't care" 。内部
在每个自动刷新周期的所有行的自动刷新计数器递增。刷新
操作必须在32毫秒内执行2048次。需要填写的自动时间
用t指定刷新操作
RC
（分钟） 。提供了自动刷新命令，无论是银行需要
是在空闲状态，并且该设备不能在电源关断模式（CKE是高在上
周期） 。这个命令必须跟NOP指令，直到自动刷新操作完成。该
预充电时间要求，T
RP
（分钟） ，必须连续自动刷新操作之前，必须满足的
进行。
SelfRefresh进入命令（参见图5中的时序波形）
（ RAS ＃ = "L" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "H" ， CKE = "L" ， A0 -A9 =无关）
该SelfRefresh是另一刷新模式在SDRAM中可用。它是优选的刷新
模式数据保留和低功耗操作。一旦SelfRefresh命令注册，所有的
输入到SDRAM成为"don't care"除CKE的，它必须保持低电平。
刷新寻址和定时由内部产生，以降低功耗。该
SDRAM中可保持在SelfRefresh模式无限期。该SelfRefresh模式退出
通过重新启动外部时钟，然后在CKE （ SelfRefresh退出命令）断言高。
SelfRefresh退出命令（参见图5中的时序波形）
（ CKE = "H" ， CS ＃ = "H"或CKE = "H" ， RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "H" ， WE＃ = "H" ）
此命令用于从SelfRefresh模式中退出。一旦该命令被注册，
NOP或取消设备必须在t发出的命令
RC
（分） ，因为需要的时间
任何银行完成目前正在内部进行刷新。如果隔三差五自动刷新周期
在正常操作期间执行的，一阵4096自动刷新周期应该刚刚完成
在进入和退出只是在SelfRefresh模式之后。
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初步
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第2.7版2006年3月
