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EtronTech
A8
0
0
1
A7
0
1
X
1M ×16 SDRAM
EM636165
测试模式字段（ A8 A7 ）
这两个位用于进入测试模式和正常必须编程为"00"
操作。
测试模式
普通模式
供应商用房
供应商用房
单写模式（ A9 ）
这个位用来选择写入模式。当BS位为"0" ，突发读突发
写模式被选择。当BS位为"1" ，突发读单写模式
选择。
A9
0
1
单写模式
突发读突发写
突发读单写
注： A10和A11应该留
“L”
在模式设置周期。
8
无操作命令
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "H" ， WE＃ = "H" ）
在无操作命令用于执行一个NOP指令，以被选择的SDRAM（ CS＃
是低） 。这可以防止不必要的命令，从在空闲或等待状态被注册。
9
突发停止命令
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "H" ， WE＃ = "L" ）
突发停止命令用来终止是固定长度或整版阵阵。这
命令是唯一有效的，而不自动预充电功能的读/写脉冲串。终止
的延迟等于在CAS ＃延迟（参照下图）后读突发结束。该
终止写脉冲串示于下图。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
命令
读了
NOP
NOP
NOP
突发停止
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 1
TCK1 ， DQ的
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
延迟等于CAS ＃延迟后突发结束。
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
终止突发读操作
（突发长度
＞
如图4所示， CAS＃延迟= 1，2， 3）
初步
15
第2.7版2006年3月
