FDA16N50 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
图2.传输特性
10
2
I
D
，漏电流[ A]
10
1
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
上图：
10
1
150 C
25 C
-55 C
*注意：
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s脉冲测试
o
o
o
10
0
10
-1
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
10
0
10
-1
10
0
10
1
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
0.6
R
DS （ ON）
[
Ω
] ，漏源导通电阻
0.5
V
GS
= 10V
0.4
I
DR
，反向漏电流[ A]
10
1
V
GS
= 20V
0.3
150 C
25 C
o
o
*注：t
J
= 25 C
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s脉冲测试
0.2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
4000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷特性
12
10
V
DS
= 100V
V
DS
= 250V
3000
V
GS
，栅源电压[V]
电容[ pF的]
C
OSS
2000
8
V
DS
= 400V
C
国际空间站
6
1000
*注;
1. V
GS
= 0 V
4
C
RSS
0
-1
10
2. F = 1 MHz的
2
*注：我
D
= 16A
10
0
10
1
0
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
FDA16N50版本B
3
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