FDA16N50 500V N沟道MOSFET
FDA16N50
500V N沟道MOSFET
特点
16.5A ， 500V ，R
DS （ ON）
= 0.38Ω @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的32 NC）
低C
RSS
（典型20 pF的）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
的UniFET
描述
2007年4月
TM
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品
条纹， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
TO-3P
g DS的
FDA系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
FDA16N50
500
16.5
9.9
66
±30
780
16.5
20.5
4.5
205
2.1
-55到+150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，凯斯到水槽典型。
热阻，结到环境
典型值
--
0.24
--
最大
0.6
--
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2007仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FDA16N50版本B
