THN6501系列
SOT 523
以毫米单位
NPN硅锗RF晶体管
□
应用
低噪声放大器和宽带放大器高达GHz的范围
□
特点
o低噪声图
NF = 1.0分贝典型。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3V ，我
C
= 7毫安
o高功率增益
MAG = 15 dB典型值。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3V ，我
C
= 7毫安
o高转换频率
f
T
= 9 GHz的典型。 @ V
CE
= 3 V，I
C
= 30毫安
引脚配置
针无
1
2
3
符号
B
E
C
描述
BASE
辐射源
集热器
单位：mm
维
2.9ⅹ1.3, 1.2t
2.0ⅹ1.25, 1.0t
2.0ⅹ1.25, 1.0t
1.6ⅹ0.8, 0.8t
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可用软件包
产品
包
SOT23
SOT323
SOT343
SOT523
□
h
FE
分类
记号
h
FE
AB1
AB2
125 300 80160
THN6501S
THN6501U
THN6501Z
THN6501E
□
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
英镑
T
J
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
储存温度
工作结温
评级
20
12
2.5
100
150
-65 ~ 150
150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
注意：静电敏感器件
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Aug.-2005
修订版2.0
