THN6501系列
□
电气特性
( T
A
= 25
℃
)
价值
符号
I
CBO
集电极截止电流
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
C
CB
|S
21
|
2
参数
测试条件
V
CB
= 19 V，I
E
= 0毫安
V
CE
= 12 V，I
B
= 0毫安
分钟。
典型值。
马克斯。
0.5
5
0.5
单位
uA
uA
uA
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极基极电容
插入功率增益
V
EB
= 1 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 15毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 30毫安
V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 15 mA时， F = 1 GHz的
8
9
12.5
13
80
8
150
9
0.85
9.5
300
GHz的
pF
dB
11
14.5
dB
15
1.0
0.049
dB
dB
MAG
最大可用增益
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 15 mA时， F = 1 GHz的
NFmin最小噪声系数
rn
G
A
OIP
3
抗噪声能力
相关的增益
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 15 mA时， F = 1 GHz的
10
10
12
12.5
27
DBM
输出3阶截取
V
CE
= 6 V，I
C
= 15 mA时， F = 1 GHz的
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Aug.-2005
修订版2.0
