FCD5N60 / FCU5N60 600V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
上图：
图2.传输特性
I
D
，漏电流[ A]
10
1
I
D
，漏电流[ A]
10
1
150 C
o
o
10
0
10
0
25 C
-55 C
*注
1. V
DS
= 40V
2. 250
s脉冲测试
o
10
-1
*注意：
1. 250
s脉冲测试
o
2. T
C
= 25 C
10
10
-1
-1
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
3.0
漏源导通电阻
2.5
2.0
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流[ A]
10
1
R
DS （ ON）
[
],
150 C
o
o
1.5
10
0
25 C
-55 C
*注
1. V
DS
= 40V
2. 250
s脉冲测试
o
V
GS
= 20V
1.0
*注：t
J
= 25 C
o
0.5
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
10
-1
I
D
，漏电流[ A]
2
4
6
8
10
V
GS
，栅源电压[V]
图5.电容特性
1500
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
DS
= 100V
V
GS
，栅源电压[V]
C
RSS
= C
gd
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
10
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
电容[ pF的]
1000
8
C
OSS
6
500
C
国际空间站
4
C
RSS
0
0
10
2
*注：我
D
= 4.6A
0
10
1
0
5
10
15
o
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ C]
FCD5N60 / FCU5N60 A0牧师
3
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