FCD5N60 / FCU5N60 600V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FCD5N60
FCD5N60
FCU5N60
设备
FCD5N60TM
FCD5N60TF
FCU5N60
包
D- PAK
D- PAK
I- PAK
带尺寸
380mm
380mm
--
胶带宽度
16mm
16mm
--
QUANTITY
2500
2000
70
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
BV
DS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏源雪崩击穿
电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 25°C
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
= 150°C
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
GS
= 0V时，我
D
= 4.6A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.3A
V
DS
= 40V ，我
D
= 2.3A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
（注4 ）
民
600
--
--
--
--
--
--
--
3.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
（注4,5）
典型值
--
650
0.6
700
--
--
--
--
--
0.81
3.8
470
250
22
12
32
12
40
47
22
16
2.8
7
最大单位
--
--
--
--
1
10
100
-100
5.0
0.95
--
600
320
--
--
--
30
90
95
55
--
--
--
V
V
V /°C的
V
A
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
基本特征
动态特性
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V至400V ，V
GS
= 0V
V
DD
= 300V ，我
D
= 4.6A
R
G
= 25
开关特性
--
--
--
--
V
DS
= 480V ，我
D
= 4.6A
V
GS
= 10V
（注4,5）
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 4.6A
V
GS
= 0V时，我
S
= 4.6A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
295
2.7
4.6
13.8
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2. I
AS
= 2.3A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
4.6A ， di / dt的
≤
1200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
FCD5N60 / FCU5N60 A0牧师
2
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