TFDU7100
威世半导体
光电特性
接收器
在T测试
AMB
= 25 ° C，V
CC1
= v
CC2
= 2.7 V至5.5 V ，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
最低检测阈值
辐照度， SIR模式
*)**)
测试条件
9.6 kbit / s到115.2 kbit / s的
λ
= 850纳米 - 900纳米
α
= 0°, 15°
576千比特/秒到4兆比特/秒
λ
= 850纳米 - 900纳米
α
= 0°, 15°
符号
E
e
民
典型值。
45
(4.5)
100
(10)
5
(500)
最大
81
(8.1)
190
(19)
单位
毫瓦/米
2
（ μW /厘米
2
)
毫瓦/米
2
（ μW /厘米
2
)
千瓦/米
2
（毫瓦/平方厘米
2
)
毫瓦/米
2
（ μW /厘米
2
)
E
e
在角最大辐射
范围
***)
λ
= 850纳米 - 900纳米
λ
= 850纳米 - 900纳米
t
r
, t
f
< 40纳秒，T
po
= 1.6微秒的
F = 115 kHz时，无输出信号
允许
10 ％至90％ ，C
L
= 15 pF的
90 ％至10％ ，C
L
= 15 pF的
输入脉冲长度
1.4微秒< P
WOPT
< 25微秒
输入脉冲长度
1.4微秒< P
WOPT
< 25微秒
- 25℃ <牛逼< 85°C
**)
E
e
E
e
4
(0.4)
逻辑LOEW接收器输入
辐射
上升输出信号的时间
落入输出信号的时间
输出RXD脉冲宽度
信号，50％的SIR模式
t
R（ RXD ）
t
F（ RXD ）
t
PW
t
PW
1.5
2.1
1.8
40
40
ns
ns
s
2.6
s
输出RXD脉冲宽度
信号，50％ MIR模式
输出RXD脉冲宽度
信号， 50 ％的FIR模式
输入脉冲长度
P
WOPT
= 217纳秒， 1.152 Mbit / s的
输入脉冲长度
P
WOPT
= 125纳秒， 4.0 Mbit / s的
输入脉冲长度
P
WOPT
= 250纳秒， 4.0 Mbit / s的
t
PW
t
PW
t
PW
t
PW
110
100
225
225
250
270
140
275
275
20
40
80
350
500
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
随机抖动，领先优势
E
e
= 200毫瓦/米
2
,
4 Mbit / s的
E
e
= 200毫瓦/米
2
,
1.152 kbit / s的
输入辐照度= 100毫瓦/米
2
,
576千比特/秒
E
e
= 200毫瓦/米
2
,
≤
115.2 kbit / s的
接收器启动时间
关闭完成后
编程序列电源
在延迟
*)
IrDA的低功耗规格为90毫瓦/米
2
。规格需要一个窗口，亏损10 ％考虑。
**)
红外线灵敏度的定义：最小辐照é
e
在角度范围，
每单位面积的功率。接收器必须满足的BER试样
fication而源是工作在在角度范围的最小强度为最小的半角度范围在最大链接
长度。
***)
最大辐射ê
e
在角度范围，
每单位面积的功率。通过在操作源的光传送到检测器
在角度范围内的最大强度
最小链路长度
不能使接收机过载失真和可能的相关链接错误。
如果放置在发射器的有源输出接口基准面，接收机必须满足它的误比特率（BER）的规范
有关详细的定义请参见日前，Vishay网站（ http://www.vishay.com/docs/82512/82512.pdf ）文件“符号和术语” 。
文档编号84773
修订版1.1 ， 9月27 06
www.vishay.com
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