GS74104TP/J
读周期2 ： WE = V
IH
t
RC
地址
t
AA
CE
t
AC
t
LZ
OE
t
OE
数据输出
t
OLZ
高阻抗
D
ATA VALID
t
HZ
t
OHZ
写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间（ WE）
写恢复时间（ CE ）
输出低Z从写结束
写在高Z输出
符号
TWC
TAW
TCW
TDW
TDH
TWP
TAS
tWR的
tWR1
TWLZ
*
tWHZ
*
-8
民
8
5.5
5.5
4
0
5.5
0
0
0
3
—
-10
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.5
-12
民
12
8
8
6
0
8
0
0
0
3
—
-15
民
15
10
10
7
0
10
0
0
0
3
—
民
10
7
7
5
0
7
0
0
0
3
—
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
冯： 1.07 1/2001
7/12
1999 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
