D
R
A
FT
恩智浦半导体
LPC2917/19
FT
FT
FT
D
D
R
R
A
A
A
FT
FT
FT
D
D
R
A
FT
D
R
R
A
FT
D
D
D
R
A
D
R
ARM9微控制器，带有CAN和LIN
A
D
R
A
D
R
A
D
D
R
A
FT
A
FT
D
R
FT
R
这两个缓冲线后无效：
D
R
R
A
FT
R
A
F
A
FT
初始化
配置寄存器的访问
数据锁存器读
指数行业读书
D
D
R
A
FT
D
R
A
FT
D
A
FT
D
R
A
R
操作模式中列出
表8 。
表8 。
闪存读取模式
对于单（非线性）读取; 1 FL灰字每字读读书
操作预设模式;最近读FL灰字一直保持，直到
另外FL灰字需要
1 FL灰字每字读读书
最近读闪字保持，直到另一个闪光字
需要
上的缓冲错过闪存读操作后，接着在至多一个
投机读;执行的代码小循环优化
从闪存（少于8个字）
最近使用的闪光字被复制到第二缓冲器线;下一个
闪字读启动;线性性能最高读取
同步时序
无缓冲线
单缓冲线
异步时序
无缓冲线
单缓冲线
双缓冲线，单
投机
双缓冲线，总
投机
8.1.3闪存控制器引脚说明
在佛罗里达州灰的内存控制器没有外部引脚。然而，佛罗里达州灰可以被编程
通过JTAG管脚，请参阅
第7.1.3节。
8.1.4闪存控制器时钟描述
快闪存储器控制器的时钟由CLK_SYS_FMC ，见
第7.2.2节。
8.1.5闪存布局
ARM处理器可以编程FL灰的ISP （在系统编程）和IAP （在 -
应用编程） 。注意，闪光总是具有由'闪光灯进行编程
字的128位（ 4个32位的AHB总线词语，因而16字节） “ 。
闪存存储器是由每个8 KB 8 '小'行业和多达11个“大”
每一个64 KB的行业。大扇区数取决于设备的类型。一个扇区
必须擦除之前的数据可以被写入到它。该闪存还具有扇区方式
保护。每页其中包括4096位（ 32 FL灰字）书写发生。一个小
扇区包含16页;大扇区包含128页。
表9
给出了闪存扇区基地址的概述。
表9 。
0
1
2
LPC2917_19_1
闪存行业概述
扇区大小（ KB ）
8
8
8
扇区基地址
0000 0000h
0000 2000h
0000 4000h
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
扇区号
初步数据表
启示录1.01 - 2007年11月15日
16 68
