LT1965
典型用途
可调电流源
R5, 0.01Ω
IN
LT1965
OUT
负载
+
V
IN
> 2.7V
C1
10μF
R1
1k
LT1004-1.2
R2
80.6k
R4
2.2k
R6
2.2k
C3
1μF
SHDN
ADJ
GND
R8
100k
+
C4
10μF
R3
2k
2
–
1/2
LT1366
8
1
1965年TA04
R7
470Ω
3
注：调整R1 FOR
0A到1.1A恒流
C2
3.3μF
+
4
相关配件
产品型号
LT1129
LT1761
LT1762
LT1763
LT1764/LT1764A
LTC1844
LT1962
LT1963/LT1963A
描述
700毫安，微功耗， LDO
100mA时低噪声，微功耗， LDO
150毫安，低噪声，微功耗， LDO
500毫安，低噪声，微功耗， LDO
3A ，低噪声，快速瞬态响应，
LDO
150毫安，非常低压差LDO
300mA，低噪声，微功耗， LDO
评论
V
IN
： 4.2V至30V ，V
OUT （分钟）
= 3.8V, V
DO
= 0.40V ，我
Q
= 50μA ，我
SD
= 16μA;
DD ， SOT- 223 ， S8 ， TO220-5和TSSOP20封装
V
IN
： 1.8V至20V ，V
OUT （分钟）
= 1.22V, V
DO
= 0.30V ，我
Q
= 20μA ，我
SD
= < 1μA ，
低噪声< 20μV
RMS
，稳定与1μF的陶瓷电容器，采用ThinSOT 封装
V
IN
： 1.8V至20V ，V
OUT （分钟）
= 1.22V, V
DO
= 0.30V ，我
Q
= 25μA ，我
SD
= < 1μA ，
低噪声< 20μV
RMS
， MS8包装
V
IN
： 1.8V至20V ，V
OUT （分钟）
= 1.22V, V
DO
= 0.30V ，我
Q
= 30μA ，我
SD
= < 1μA ，
低噪声< 20μV
RMS
， S8套餐
V
IN
： 2.7V至20V ，V
OUT （分钟）
= 1.21V, V
DO
= 0.34V ，我
Q
= 1mA时，我
SD
= < 1μA ，低噪声
< 40μV
RMS
， “A”版本稳定与陶瓷电容器， DD和TO220-5软件包
V
IN
： 1.6V至6.5V ，V
OUT （分钟）
= 1.25V, V
DO
= 0.08V ，我
Q
= 35μA ，我
SD
= < 1μA ，
低噪声< 60μV
RMS
，采用ThinSOT 封装
V
IN
： 1.8V至20V ，V
OUT （分钟）
= 1.22V, V
DO
= 0.27V ，我
Q
= 30μA ，我
SD
= < 1μA ，
低噪声< 20μV
RMS
， MS8包装
1.5A ，低噪声，快速瞬态响应，V
IN
： 2.1V至20V ，V
OUT （分钟）
= 1.21V, V
DO
= 0.34V ，我
Q
= 1mA时，我
SD
= < 1μA ，
低噪声< 40μV
RMS
， “A”版本稳定与陶瓷电容;
LDO
DD ， TO220-5 ， SOT- 223和S8套餐
100mA时低电压V
DO
, V
IN（分钟）
= 0.9V,
LDO
500mA，低压电压V
DO
, V
IN（分钟）
= 0.9V,
LDO
双通道， 2个100mA时低噪声微功率，
LDO
双通道， 100毫安/ 500mA，低压噪声
微功耗， LDO
双通道， 2个100mA时低噪声微功率，
LDO具有独立输入
V
IN
： 0.9V至10V ，V
OUT （分钟）
= 0.20V, V
DO
= 0.15V ，我
Q
= 120μA ，我
SD
= 3μA ， DFN和
MS8包
V
IN
： 0.9V至10V ，V
OUT （分钟）
= 0.20V, V
DO
= 0.16V ，我
Q
= 120μA ，我
SD
= 3μA ， DFN和
S8套餐
V
IN
： 1.8V至20V ，V
OUT （分钟）
= 1.22V, V
DO
= 0.30V ，我
Q
= 40μA ，我
SD
= < 1μA ， DFN和
MS10包
V
IN
： 1.8V至20V ，V
OUT （分钟）
= 1.22V, V
DO
= 0.30V ，我
Q
= 60μA ，我
SD
= < 1μA ， DFN和
TSSOP封装
V
IN
： 1.8V至20V ，V
OUT （分钟）
= 1.22V, V
DO
= 0.30V ，我
Q
= 25μA ，我
SD
= < 1μA ，
低噪声< 20μV
RMS
， DFN和MS10封装
LT3020
LT3021
LT3023
LT3024
LT3027
LT3028
双通道， 100毫安/ 500mA，低压噪声
V
IN
： 1.8V至20V ，V
OUT （分钟）
= 1.22V, V
DO
= 0.30V ，我
Q
= 30μA ，我
SD
= < 1μA ，
微功耗， LDO具有独立输入的低噪声< 20μV
RMS
， DFN和TSSOP封装
采用ThinSOT是凌力尔特公司的商标
1965f
16
凌力尔特公司
1630麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-7417
(408) 432-1900
●
传真： （ 408 ） 434-0507
●
LT 0807 美国印刷
www.linear.com
凌力尔特公司2007年
